8月19日消息，在通常的分布式存儲中，當系統(tǒng)檢測到硬盤故障時，系統(tǒng)會采用EC（Erasure Coding）糾刪碼等冗余校驗手段，利用其余節(jié)點上的正常硬盤、正常數(shù)據(jù)，在后臺跨節(jié)點地將整塊硬盤的故障數(shù)據(jù)重構(gòu)出來。

然而，隨著SSD容量逐步增大，大盤需要重構(gòu)的數(shù)據(jù)量翻了4~8倍、耗費時長也等比例上升。

在這個漫長的重構(gòu)周期里，不僅擠占25%存儲帶寬、影響業(yè)務性能，且更致命的是，系統(tǒng)將處于可靠性降級狀態(tài)，數(shù)據(jù)將會面臨隨時丟失。

今天，華為介紹了全閃分布式存儲，對SSD的故障域?qū)嵤┚植扛綦x，盡可能避免原先的大范圍的整盤重構(gòu)。

針對盤內(nèi)DDR的失效，華為創(chuàng)新地采用TRR（Tiny Region Reconstruction，最小范圍重構(gòu)）算法，通過盤控深度配合，精準識別并上報失效區(qū)域所映射的邏輯地址，然后通知存儲系統(tǒng)，對受影響的局部數(shù)據(jù)進行屏蔽。

這個過程，就像在硬盤上“精密鏤刻”一樣，然后在新的位置精準重構(gòu)出這一小部分數(shù)據(jù)。這，就避免了過去動輒整盤重構(gòu)，讓其余正常數(shù)據(jù)“免遭牽連”，減少了數(shù)百倍的重構(gòu)數(shù)據(jù)量，整個過程幾分鐘就能搞定。

針對NAND Flash的失效，華為也采用自研的“盤內(nèi)RAID算法”，對盤上所有數(shù)據(jù)以Die為單位，建立RAID組冗余校驗。我們將故障范圍精準縮小到Die級，利用其余正常的Die、通過盤內(nèi)計算引擎恢復出正確的數(shù)據(jù)。

這項技術(shù)的厲害之處在于，這個過程可以不斷重復，允許Die一個接一個地失效，持續(xù)縮列、甚至縮容而不丟失任何數(shù)據(jù)。這個操作完全發(fā)生在SSD盤內(nèi)，上層存儲系統(tǒng)那個“大佬”根本無需插手，完全不知道底下這么熱鬧。

假如遇上多個Die同時失效、或者整個顆粒失效的極端情況，那SSD單盤就兜不住了，但系統(tǒng)自然也有備而來。存儲系統(tǒng)會立刻啟動TRR算法，進行局部數(shù)據(jù)的“鏤刻”和“填坑”，做到精準屏蔽、并進行計劃性預拷貝重構(gòu)。