9月12日消息，據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道，由于 2nm 良率持續(xù)存在問題，三星電子已決定從其位于美國(guó)的泰勒工廠撤出人員，這標(biāo)志著其先進(jìn)的代工業(yè)務(wù)遭受重大挫折。該決定是在大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)間表一再推遲之后做出的，現(xiàn)在量產(chǎn)時(shí)間已從原來的2024年底推遲到了2026年。

三星對(duì)于美國(guó)泰勒工廠最初設(shè)想為 4nm以下先進(jìn)工藝的大規(guī)模生產(chǎn)中心，目的是靠近主要的美國(guó)客戶，為他們提供本地化的制造服務(wù)。然而，盡管工藝開發(fā)迅速，但三星仍面臨 2nm 良率的挑戰(zhàn)，與其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電相比，不僅性能較低且量產(chǎn)能力不足，良率也更低。

三星的代工良率目前低于 50%，尤其是 3nm以下的工藝，而臺(tái)積電的3nm工藝良率約為 60-70%。這種良率差距將兩家公司之間的市場(chǎng)份額差距擴(kuò)大到 50.8 個(gè)百分點(diǎn)，臺(tái)積電在第二季度占據(jù)了 62.3% 的全球代工市場(chǎng)，而三星僅為 11.5%。

一位業(yè)內(nèi)人士評(píng)論說：“三星的 GAA （應(yīng)該是指三星2nm制程）良率率在 10-20% 左右，這對(duì)于訂單和批量生產(chǎn)來說都是不夠的。這種低良率迫使三星重新考慮其戰(zhàn)略，并從泰勒工廠撤出人員，只留下極少的員工。

報(bào)道稱，為了解決良率問題，三星董事長(zhǎng)李在镕親自拜訪了 ASML 和 Zeiss 等主要設(shè)備供應(yīng)商，努力尋找工藝和良率改進(jìn)的突破口。盡管做出了這些努力，但并未取得重大成就，而且將人員重新部署到泰勒工廠的時(shí)間仍不確定。

相比之下，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經(jīng)開始基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn)，其良率已經(jīng)與臺(tái)積電位于中國(guó)臺(tái)灣的南科廠良率相當(dāng)。

值得注意的是，今年4月，美國(guó)商務(wù)部宣布已與三星電子簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)《芯片和科學(xué)法案》向三星電子提供高達(dá)64億美元的直接補(bǔ)貼資金，以加強(qiáng)美國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性，推進(jìn)美國(guó)的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位，并增強(qiáng)美國(guó)的全球競(jìng)爭(zhēng)力。

作為協(xié)議的一部，三星承諾未來幾年將在美國(guó)德克薩斯州投資金額由原來的170億美元提升至超過400億美元，擬議的投資將把三星在德克薩斯州的現(xiàn)有業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€(gè)全面的生態(tài)系統(tǒng)，用于在美國(guó)開發(fā)和生產(chǎn)尖端芯片，包括兩個(gè)新的領(lǐng)先邏輯晶圓廠、一個(gè)研發(fā)工廠和位于泰勒市的一個(gè)先進(jìn)封裝工廠，以及擴(kuò)建他們現(xiàn)有的奧斯汀工廠。預(yù)計(jì)將支持創(chuàng)造超過20,000個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。

其中，對(duì)于德克薩斯州泰勒市的投資將包括兩個(gè)領(lǐng)先的邏輯代工廠，專注于4nm和2nm工藝技術(shù)的大規(guī)模生產(chǎn)，一個(gè)致力于開發(fā)和研究當(dāng)前生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)之前的技術(shù)代的研發(fā)工廠，以及一個(gè)生產(chǎn)3D高帶寬存儲(chǔ)器和2.5D封裝的先進(jìn)封裝設(shè)施。

現(xiàn)在看來，由于2nm良率問題，三星泰勒工廠的2nm晶圓廠項(xiàng)目將要大幅推后，之前部署的人員撤出也是自然。不過，由于美國(guó)“芯片法案”補(bǔ)貼本身就有設(shè)置很多限制條款，三星在泰勒工廠的投資進(jìn)度延后，必然會(huì)影響到美國(guó)商務(wù)部基于“芯片法案”對(duì)其承諾的64億美元補(bǔ)貼資金的落實(shí)。