10月16日，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce在“AI 時(shí)代半導(dǎo)體全局展開(kāi)──2025 科技產(chǎn)業(yè)大預(yù)測(cè)”研討會(huì)上指出，隨著全球前三大HBM廠商持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2025年全球HBM產(chǎn)能將同比大漲117%。

TrendForce 分析師王豫琪表示，從HBM產(chǎn)品類型來(lái)看，由于英偉達(dá)（NVIDIA）自Blackwell GPU開(kāi)始，新產(chǎn)品會(huì)逐步轉(zhuǎn)往12 層HBM3e，明年HBM3e 將取代HBM3 成主流產(chǎn)品，占整體HBM市場(chǎng)需求的89%。由于HBM3e 平均售價(jià)（ASP）大約是傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品的3-5倍，隨著HBM3e產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)張，營(yíng)收貢獻(xiàn)將逐季增長(zhǎng)。至于中國(guó)大陸的HBM營(yíng)收主要來(lái)自于HBM2e 帶來(lái)的貢獻(xiàn)。

目前SK海力士、美光、三星這三大存儲(chǔ)芯片廠商的12 層HBM3e 都在向英特爾送樣驗(yàn)證階段，預(yù)期后續(xù)驗(yàn)證完成、良率提升后，出貨量將大幅提升。

對(duì)于NAND Flash市場(chǎng)，TrendForce 研究經(jīng)理敖國(guó)鋒表示，NAND Flash 供應(yīng)商經(jīng)歷2023 年巨額虧損后，資本支出轉(zhuǎn)趨保守。同時(shí)，DRAM 和HBM 等存儲(chǔ)產(chǎn)品需求受惠AI 浪潮，將排擠2025年NAND Flash 設(shè)備投資，使過(guò)去嚴(yán)重供過(guò)于求的市況將有所緩解。不過(guò)，AI 應(yīng)用對(duì)高速、大容量?jī)?chǔ)存的需求日益增加，也將推動(dòng)Enterprise SSD (eSSD) 市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展。