5 月 8 日消息，韓媒《朝鮮日報》在當(dāng)?shù)貢r間昨日的報道中表示，兩大韓系 DRAM 內(nèi)存原廠三星電子和 SK 海力士都正在考慮將混合鍵合技術(shù)引入下一代 HBM 內(nèi)存 —— HBM4 中。
消息人士透露，三星電子預(yù)計最早將于明年的 HBM4 內(nèi)存中采用混合鍵合，而 SK 海力士可能會在稍晚的 HBM4E 中導(dǎo)入；美光和其它企業(yè)則計劃考慮導(dǎo)入有凸塊鍵合的迭代版本：無助焊劑鍵合。
相較于現(xiàn)有 HBM 內(nèi)存使用的有凸塊鍵合，無凸塊的混合鍵合有利于降低 HBM 內(nèi)存堆棧的層高，支持更多堆疊層數(shù)，同時其也具備電氣性能上的優(yōu)勢，可實現(xiàn)更出色的傳輸速率。
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