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HBM4制造難度及成本將更高

溢價幅度預計將超30%
2025-05-23
來源:芯智訊

5月22日消息,根據市場研究機構TrendForce最新發布的研究報道稱,受益于AI芯片需求的帶動,三大DRAM原廠正積極推動HBM4 產品進度。但因HBM4的I/O 數量增加,復雜芯片設計也使得所需的晶圓面積增加,且部分供應商產品改為采邏輯基低芯片構架以提高性能,這些都將帶來成本的提升。鑒于HBM3e剛剛推出時溢價比例約20%,制造難度更高的HBM4的溢價幅度或突破30%。

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相比上代產品,HBM4的I/O數從1,024翻倍提升至2,048,數據傳輸速率維持8.0Gbps以上,和HBM3e相當。這代表相同傳輸速度下,有較高信道數的HBM4可以傳輸的數據總量倍增。根據最新的資料顯示,英偉達的最新Rubin GPU、AMD MI400都將會搭載HBM4。

目前HBM3e base die采內存構架,僅單純信號轉接。SK海力士三星HBM4的 base die 將會轉向與晶圓代工廠合作,改為采邏輯芯片構架,具備整合HBM與SoC功能,除了加速數據路徑、減少延遲,高速數據傳輸環境更能增加穩定性。

由于需求強勁,TrendForce預估2026年HBM市場總出貨量突破300億Gb,HBM4市占率則隨供應商持續放量逐季提高,2026年下半超越HBM3e系列產品,成為市場主流。至于供應商表現,SK海力士將以過半市占率穩居領導地位,三星與美光仍待產品良率與產能表現提升,才有機會迎頭趕上。


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