6 月 16 日消息，韓國媒體 the bell 當地時間本月 12 日報道稱，在 HBM 市場處于領先地位的 SK 海力士調整了下代 1c nm（第 6 代 10nm 級）DRAM 內存量產線的設備采購節(jié)奏，暫緩新技術應用。
SK 海力士現在的主力 HBM 產品 HBM3E 和即將量產的 HBM4 均基于 1b 工藝的 DRAM，未來的 HBM4E 才會導入 1c 制程。
SK 海力士憑過往產品表現在 HBM 市場建立起良好聲譽，以英偉達為代表的 AI 芯片企業(yè)對其 HBM 內存有著龐大需求；另一方面，HBM 的盈利能力也明顯優(yōu)于傳統 DRAM。這是 SK 海力士專注于擴大 1b DRAM 產能的兩大原因。
SK 海力士在三大內存原廠中率先完成 1c nm 的 DDR5 開發(fā)，實現了 11% 的速度改進和 9% 的能效改進，不過該企業(yè)在 1c nm LPDDR5x 的進度上被美光反超。
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