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單片機系統中法拉電容的數據保護研究
摘要: 本文將通過一個設計案例,具體介紹法拉電容在單片機系統的RAM數據保護中的應用,為嵌入式系統中RAM數據保護提供一種可行的參考方法。
Abstract:
Key words :

  引 言

  在測量、控制等領域的嵌入式系統應用中,常要求系統內部和外部數據存儲器(RAM)中的數據在電源掉電時不丟失,重新加電時RAM中的數據能夠保存完好,以保證系統穩定、可靠地工作和數據信息處理的安全。這就要求對系統加接掉電保護措施。掉電保護可采用以下三種方法:

  一是加接不問斷電源。由于這種方法體積大、成本高,對單片機系統來說,不宜采用。

  二是采用EEPROM來保存數據。但由于其讀寫速度與讀寫次數的限制,使得EEPROM不能完全代替RAM。

  三是采用備份電池,掉電后保護系統中全部或部分數據存儲單元的內容。

  顯然,上述第三種方法是比較可行的。實際應用中,往往采用內置鋰電池的非易失性靜態隨機存取存儲器(nonvolatile SRAM)。例如Dallas半導體公司的DS1225,由于采用鋰電池作為存儲器備份電源,數據可以完好保存10年以上。但這種方案的缺點是成本高,且鋰電池會造成環境污染。

  法拉電容也叫超級電容器,雙電層電容,其體積小、容量大、電壓記憶特性好、可靠性高。與充電電池相比,具有充電時間短、功率密度高、使用壽命長、低溫特性好及無環境污染等優勢。在數據保護電路中采用法拉電容取代電池作后備電源,在提高系統可靠性、延長壽命、降低設備成本和維護成本等方面,有十分重要的意義。

  本文將通過一個設計案例,具體介紹法拉電容在單片機系統的RAM數據保護中的應用,為嵌入式系統中RAM數據保護提供一種可行的參考方法。

  某一采用UT6264C-70LL作為RAM的單片機系統,在系統掉電后,要求RAM的數據后備時間達到5天。

  1 硬件設計

  采用法拉電容作為RAM后備電源,法拉電容后備時間的典型計算公式為:

公式

  式中:C(F)為法拉電容的標稱容量,Umin(V)為電路中的正常工作電壓,Umin(V)為電路能工作的最低電壓,t(s)為電路中后備時間,I(A)為電路的負載電流。

  UT6264CSC-70LL的典型數據保持電流為1 μA,工作電壓為5 V,數據保持所需電壓最低為2 V。取O.1 F的法拉電容,計算得到RAM的數據后備時間為3.35天。而實際上,當RAM的電源電壓降低時,其數據保持電流將減小,因而后備時間可以延長。

  另外,電源出現波動時,RAM的片選引腳、寫使能引腳及數據線端口也容易引入干擾或不正常的控制時序,從而破壞RAM中的數據。因此,需要通過電路設計,確保電源不正常時讀寫控制端口時序可控,從而增強RAM數據的安全。

  電路原理圖如圖1所示。

電路原理圖

  當電源正常時,5 V電源VCC通過快速整流二極管D1給RAM(U2:UT6264)供電,并通過R1給法拉電容(C1:FMOH104Z)充電。掉電時,D1截止,法拉電容C1作為備份電源,通過R1為U2供電,保證RAM中數據不消失。

  在掉電過程中或電源出現波動時,為了增強RAM數據的安全性,采用了專用電源監控芯片(U3:IMP706),提供系統的監控功能。上電、掉電和電網電壓過低時會輸出復位信號,同時還能跟蹤1.6 s的定時信號,為軟件運行提供看門狗定時器(watchdog timer)防護。當電源電壓掉至約4.74 V時,U3向CPU(U1:AT89S52)輸出掉電信號(PW_DN),CPU進行掉電應急處理和保護現場,不向RAM芯片進行任何讀寫操作。當電源電壓進一步掉至4.4 V時,U3產生復位信號,CPU被復位,同時RAM芯片U2的片選引腳CE2也被置為低電平,確保U2不被讀寫操作。

  2 軟件設計

  本案例電路的地址定義是:RAM地址范圍(8 KB)為0000H~1FFFH;看門狗定時器控制地址為E000H。

  軟件包括主控制程序、掉電中斷處理程序、定時中斷處理程序等。

  (1)主控制程序

  上電進行必要的CPU初始化后,檢查正常掉電標志和RAM Check Sum計算檢查,以確認RAM中數據是否正常。如果正常,就進行掉電前的現場恢復。其主程序流程框圖如圖2所示。

主程序流程框圖

  (2)掉電中斷處理程序

  CPU收到掉電信號(PW_DN)中斷時,CPU進行掉電應急處理和保護現場,設置正常掉電標志,保存RAMCheck Sum計算結果,以備上電時檢查RAM數據是否被破壞。其流程框圖如圖3所示。

流程框圖

  (3)定時中斷處理程序

  看門狗定時器電路需要在每1.6 s內清零,在定時中斷處理程序中調用看門狗清零子程序。定時中斷時間要設在1.6 s以內,例如100ms。定時中斷處理流程框圖如圖4所示。

定時中斷處理流程框圖

  結 語

  在本應用實例中,經測試,掉電后RAM數據后備時間是10~14天,且數據可靠,系統運行穩定。顯然,選擇更大容值的法拉電容將有更長的后備時間。在控制系統的產品設計中,為提高產品的可靠性、降低成本、增強產品在市場上的競爭力,本文提供的方案具有參考價值。

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