工業(yè)自動(dòng)化最新文章 臺(tái)積電SoIC產(chǎn)能將倍增 3月26日消息，據(jù)最新的業(yè)內(nèi)傳聞顯示，英偉達(dá)（NVIDIA）下一代Rubin GPU將采用臺(tái)積電的SoIC（System-on-Integrated Chip）封裝技術(shù)，這也也將是該公司首款采用Chiplet設(shè)計(jì)的GPU。市場期待，臺(tái)積電SoIC有望取代CoWoS成為市場新焦點(diǎn)，預(yù)期需求將大幅成長。 發(fā)表于：3/27/2025 薄晶圓工藝興起 從平面SoC向3D-IC和先進(jìn)封裝的轉(zhuǎn)變，需要更薄的晶圓，以提高性能、降低功耗，縮短信號(hào)傳輸所需的距離以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)所需的能量。 對(duì)超薄晶圓有需求的市場正在不斷擴(kuò)大。一個(gè)由12個(gè)DRAM芯片和一個(gè)基礎(chǔ)邏輯芯片組成的HBM模塊的總厚度，仍小于一片原生硅晶圓的厚度。在為人工智能應(yīng)用組裝扇出型晶圓級(jí)封裝以及先進(jìn)的2.5D和3D封裝方面，薄晶圓也起著關(guān)鍵作用，而這些人工智能應(yīng)用的增長速度比主流IC要快得多。再加上行業(yè)對(duì)輕薄手機(jī)、可穿戴設(shè)備和醫(yī)療電子產(chǎn)品的需求，似乎如果沒有可靠地加工薄硅晶圓的能力，現(xiàn)代微電子將難以實(shí)現(xiàn)。 發(fā)表于：3/27/2025 中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破 3 月 26 日消息，近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布通過不斷提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度，ICP 雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī) Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應(yīng)臺(tái)之間的刻蝕精度已達(dá)到 0.2A（亞埃級(jí)）。 發(fā)表于：3/27/2025 北方華創(chuàng)進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場 3月26日，在SEMICON China 2025大會(huì)上，北方華創(chuàng)正式宣布進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場，并發(fā)布首款離子注入機(jī)Sirius MC 313。此舉標(biāo)志著北方華創(chuàng)正在半導(dǎo)體核心裝備的戰(zhàn)略布局上又邁出了重要一步，基本覆蓋了除光刻之外的所有半導(dǎo)體前道制造設(shè)備。 發(fā)表于：3/27/2025 臺(tái)積電2nm先進(jìn)制程計(jì)劃2028年落地美國 3月27日消息，針對(duì)臺(tái)積電加速將先進(jìn)制程落地美國的做法，國務(wù)院臺(tái)辦發(fā)言人陳斌華公開表示，臺(tái)積電已成為砧板上任人宰割的肥肉。 對(duì)于這樣的做法，之前我國方面回應(yīng)稱，美方步步緊逼掏空臺(tái)積電，民眾擔(dān)憂臺(tái)積電變“美積電”，絕不是“杞人憂天”；最后就是從“棋子”成“棄子”，也絕對(duì)是注定的下場。 發(fā)表于：3/27/2025 英飛凌推出用于超高功率密度設(shè)計(jì)的全新E型XDP?混合反激控制器IC 【2025年3月26日, 德國慕尼黑訊】繼推出業(yè)界首款PFC和混合反激（HFB）組合IC后，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。 發(fā)表于：3/26/2025 意法半導(dǎo)體STM32WBA6新系列高集成度無線微控制器 2025年3月20日，中國 —— 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 發(fā)布了下一代STM32高能效短距離無線微控制器 (MCU)，可簡化消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)的連接。 發(fā)表于：3/26/2025 高通在全球三大洲指控Arm壟斷反競爭 3月26日消息，英國芯片設(shè)計(jì)公司Arm自被軟銀收購后，業(yè)務(wù)模式已經(jīng)逐漸從基礎(chǔ)架構(gòu)提供商轉(zhuǎn)向完整芯片設(shè)計(jì)商。 彭博社今天援引知情人士的話透露，高通已向歐盟委員會(huì)、美國聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)（FTC）及韓國公平交易委員會(huì)提交機(jī)密文件，指控Arm涉嫌濫用市場支配地位實(shí)施反競爭行為。 發(fā)表于：3/26/2025 北方華創(chuàng)發(fā)布首款12英寸電鍍?cè)O(shè)備 據(jù)北方華創(chuàng)官方微信公眾號(hào)消息，近日，北方華創(chuàng)正式發(fā)布旗下首款12英寸電鍍?cè)O(shè)備（ECP）——Ausip T830。該設(shè)備專為硅通孔（TSV）銅填充設(shè)計(jì)，主要應(yīng)用于2.5D/3D先進(jìn)封裝領(lǐng)域。該產(chǎn)品標(biāo)志著北方華創(chuàng)正式進(jìn)軍電鍍?cè)O(shè)備市場，并在先進(jìn)封裝領(lǐng)域構(gòu)建了包括刻蝕、去膠、PVD、CVD、電鍍、PIQ 和清洗設(shè)備的完整互連解決方案。 發(fā)表于：3/26/2025 臺(tái)積電美國廠制造成本僅比臺(tái)灣廠高10% 3月26日消息，半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights近日發(fā)布報(bào)告稱，根據(jù)其旗下資深產(chǎn)業(yè)人士針對(duì)晶圓廠成本和價(jià)格模型所估算出的結(jié)果顯示，臺(tái)積電美國分公司TSMC Arizona的單片12英寸晶圓加工成本，僅比臺(tái)積電在中國臺(tái)灣的工廠僅高出不到10%。 發(fā)表于：3/26/2025 臺(tái)積電2納米工廠提前擴(kuò)產(chǎn)有隱情？ 一直以來，臺(tái)積電2納米技術(shù)進(jìn)展備受關(guān)注。據(jù)最新報(bào)道，該技術(shù)即將進(jìn)入全面生產(chǎn)階段。島內(nèi)媒體普遍分析認(rèn)為，這是臺(tái)積電在加大赴美投資的同時(shí)，為了消除外界對(duì)于其產(chǎn)能外流的疑慮而采取的舉措。 發(fā)表于：3/26/2025 俄羅斯首臺(tái)350納米光刻機(jī)將在莫斯科生產(chǎn) 3月25日消息，據(jù)俄羅斯衛(wèi)星通訊社報(bào)道，莫斯科市長謝爾蓋·索比亞寧近日在其 “電報(bào)” 頻道的賬號(hào)上發(fā)文稱，莫斯科“澤列諾格勒納米技術(shù)中心”公司已完成了俄羅斯首臺(tái)350nm光刻機(jī)的研發(fā)工作，這是生產(chǎn)微芯片的關(guān)鍵設(shè)備。 發(fā)表于：3/26/2025 中國電信2024年財(cái)報(bào)滿屏“量子” 3月25日消息，今日下午，中國電信發(fā)布了2024年年度報(bào)告。報(bào)告顯示，2024年實(shí)現(xiàn)營收5294.2億元，同比增長3.1%；實(shí)現(xiàn)凈利潤為330.1億元，同比增長8.4%。 相比于其他兩家運(yùn)營商中國移動(dòng)、中國聯(lián)通，中國電信的年報(bào)著重提及了量子，出現(xiàn)在218頁報(bào)告中的20頁，顯示出對(duì)量子的高度重視。 發(fā)表于：3/26/2025 美國將50余個(gè)中國科技企業(yè)和機(jī)構(gòu)列入實(shí)體清單 據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道稱，美國商務(wù)部工業(yè)與安全局美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二在聯(lián)邦公報(bào)上刊發(fā)兩份文件，將50余個(gè)中國科技企業(yè)和機(jī)構(gòu)納入所謂的“實(shí)體清單”，預(yù)期將于3月28日生效。 發(fā)表于：3/26/2025 臺(tái)積電高雄2nm晶圓廠4月開始接受訂單 3月24日消息，據(jù)中國臺(tái)灣省媒體報(bào)道，臺(tái)積電將于3月31日舉行高雄2nm晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)典禮，預(yù)計(jì)臺(tái)積電將于4月1日開始接受2nm訂單，蘋果可能將是首個(gè)客戶。 發(fā)表于：3/25/2025 ?…54555657585960616263…?
