| 2~4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設(shè)計 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標簽： 低噪聲放大器 | |
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| 文檔介紹： 利用pHEMT工藝設(shè)計了一個2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設(shè)計中采用了具有低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、pHEMT技術(shù)設(shè)計的ATF-54143晶體管，電路采用二級級聯(lián)放大的結(jié)構(gòu)形式，利用微帶電路實現(xiàn)輸入輸出和級間匹配，通過ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對電路增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進行了研究設(shè)計，最終使得該LNA在2~4 GHz波段內(nèi)增益大于20 dB，噪聲小于1.2 dB，輸出電壓駐波比小于2，達到了設(shè)計指標的要求。 | |
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