| 用于甚低頻無線通信的一種低噪聲放大器設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大?。?span>672 K | |
| 標簽： 甚低頻 低噪聲放大器 高電源抑制比 | |
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| 文檔介紹：介紹了一種用于甚低頻無線通信中的低噪聲放大器的設計。提出了一個由低通跨導與自共源共柵MOSFET形成的新環路，用于穩定放大器的輸出偏置電壓。該環路配合恒定跨導偏置電路，可使放大器的開環增益保持在40 dB左右，不會受到工藝偏差、電源電壓波動和工作溫度變化的影響。該放大器中自共源共柵MOSFET作為增益單元，配合全差分電流偏置電路，輸出范圍可達到軌到軌。此放大器具有高達101.4 dB的帶內電源抑制比。當可穿戴設備采用高阻抗電源供電時，電源紋波對輸出信號幾乎無影響。 | |
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