| 一種采用高階曲率補償?shù)膸痘鶞?zhǔn)源 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：4248 K | |
| 標(biāo)簽： 帶隙基準(zhǔn)源 高階曲率補償 溫度系數(shù) | |
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| 文檔介紹：基于0.18 μm BCD工藝，提出了一種具有較低溫度系數(shù)的高階曲率補償帶隙基準(zhǔn)源。在基本Kuijk帶隙基準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，利用VBE線性化法來進行高階曲率補償，同時保證流過補償雙極晶體管的電流也得到高階補償，兩次高階補償使得帶隙基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)更低。根據(jù)仿真結(jié)果，該帶隙基準(zhǔn)電壓在-55°C ~ 125°C溫度范圍內(nèi)，輸出電壓的最大壓差為0.376 6 mV，溫度系數(shù)為1.762 ppm/°C，低頻時電源抑制比（PSRR）為-73.9 dB。該帶隙基準(zhǔn)源已應(yīng)用于某一高精度的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）中。 | |
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