| 硅基GaN功率器件與驅(qū)動(dòng)集成設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：4444 K | |
| 標(biāo)簽： GaN 功率IC 單通道 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：為滿足高頻電源模塊的應(yīng)用需求，設(shè)計(jì)了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驅(qū)動(dòng)電路和300 V功率管，有效減少分立式封裝所帶來(lái)的寄生電感，集成化設(shè)計(jì)能夠提升芯片抗噪聲能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工藝平臺(tái)進(jìn)行制備，采用E/D模集成電路設(shè)計(jì)。該芯片的驅(qū)動(dòng)電路在2 MHz開關(guān)頻率下輸出信號(hào)上升時(shí)間為4.3 ns、下降時(shí)間為3.4 ns，芯片的功率管在300 V下能夠穩(wěn)定工作。 | |
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