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鰭式場效應晶體管結(jié)合自熱效應的電遷移分析[電源技術(shù)][其他]

在先進工藝節(jié)點下，鰭式場效應晶體管(FinFET)工藝相對于平面技術(shù)提供了在功耗、性能與面積上的優(yōu)勢。但相對地，F(xiàn)inFET也會引起局部晶體管電流密度的驟增的問題，這也意味著信號線和電源地網(wǎng)絡的金屬電遷移可靠性會受到更大的沖擊。隨著FinFET的熱分布對互聯(lián)金屬線的溫度影響上升，電遷移失效概率上升的次級效應也由之產(chǎn)生。如今，熱效應的影響已經(jīng)成為了廣大設計公司不得不考慮的因素之一，在生產(chǎn)商的引導之下，Cadence Voltus提供了針對熱效應帶來影響的精準、強大并且靈活的解決方案。基于此點對高平均翻轉(zhuǎn)率的芯片進行熱效應影響的檢查與分析，并且對電源的結(jié)構(gòu)規(guī)劃和設計的物理實現(xiàn)進行改進。

發(fā)表于：8/12/2019 10:06:00 AM

基于Innovus提升芯片性能的物理實現(xiàn)方法[模擬設計][其他]

對于規(guī)模日益增大，工作頻率不斷增加的高性能芯片設計，性能一直是物理設計的重點和難點。緩沖器的插入是為了最小化信號線延時，進而優(yōu)化時序，提升性能。描述了使用Cadence Innovus工具建立物理設計流程，減少各步驟間的偏差。同時在此流程的基礎上提出二次布局優(yōu)化方法，在16 nm下，通過一個高性能芯片設計驗證了該流程與方法，實例結(jié)果表明，設計性能得到很大改善，其中時序優(yōu)化達85.07%，該流程及方法可有效提升高性能芯片性能。

發(fā)表于：8/12/2019 9:49:00 AM

基于深度學習的人臉活體檢測算法[嵌入式技術(shù)][其他]

身份認證技術(shù)有了很大的發(fā)展，隨之不斷出現(xiàn)的是各種偽造合法用戶信息的欺詐手段。針對這一問題，提出一種基于深度學習人臉活體檢測算法，分析了真實人臉和欺詐人臉之間的區(qū)別，將真實人臉和照片進行數(shù)據(jù)去中心化、zca白化去噪聲、隨機旋轉(zhuǎn)等處理；同時，利用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡對照片的面部特征進行提取，提取出來的特征送入神經(jīng)網(wǎng)絡訓練、分類。算法在公開的數(shù)據(jù)庫NUAA上進行了驗證，實驗結(jié)果表明該方法降低了計算的復雜度，提高了識別準確率。

發(fā)表于：8/2/2019 3:05:00 PM

基于FPGA的深度學習目標檢測系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)[可編程邏輯][其他]

針對當前深度學習目標檢測算法計算復雜度高和內(nèi)存需求大等問題，設計并實現(xiàn)了一種基于FPGA的深度學習目標檢測系統(tǒng)。設計對應YOLOv2-Tiny目標檢測算法的硬件加速器，對加速器各模塊的處理時延建模，給出卷積計算模塊的詳細設計。實驗結(jié)果表明，與CPU相比，CPU+FPGA的異構(gòu)系統(tǒng)是雙核ARM-A9能效的67.5倍，Xeon的94.6倍；速度是雙核ARM-A9的84.4倍，Xeon的5.5倍左右。并且，當前設計在性能上超過之前的工作。

發(fā)表于：8/2/2019 2:52:00 PM

一種改進的RefineDet多尺度人臉檢測方法[可編程邏輯][安防電子]

針對車站、商場等大型場所中客流量大、背景復雜等原因?qū)е露喑叨热四槞z測精度低的問題，建立了一種基于RefineDet多層特征圖融合的多尺度人臉檢測方法。首先利用第一級網(wǎng)絡進行特征提取并在不同尺度的特征圖上粗略預估人臉位置；然后在第二級中通過特征金字塔網(wǎng)絡將低層特征與高層特征融合，進一步增強小尺寸人臉的語義信息；最后，通過置信度和焦點損失函數(shù)對檢測框進行二次抑制，達到邊框的精確回歸。實驗中將人臉候選區(qū)域的寬高比只設置為1:1，以此來降低運算量并提高人臉檢測精度。在Wider Face數(shù)據(jù)集上的實驗結(jié)果表明，該方法能有效檢測不同尺度的人臉，在Easy、Medium、Hard 3個子數(shù)據(jù)集上測試結(jié)果分別為93.4%、92%、84.4%的MAP，尤其對小尺寸人臉的檢測精度有明顯提高。

發(fā)表于：8/1/2019 1:47:00 PM

基于MOCVD生長材料的高電流密度太赫茲共振隧穿二極管[微波|射頻][工業(yè)自動化]

為獲得高功率的太赫茲共振隧穿器件，優(yōu)化設計了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二極管材料結(jié)構(gòu)，在國內(nèi)首次采用MOCVD設備在半絕緣InP單晶片上生長了RTD外延材料。利用接觸光刻工藝和空氣橋搭接技術(shù)，制作了InP基共振遂穿二極管器件。并在室溫下測試了器件的電學特性：峰值電流密度＞400 kA/cm2，峰谷電流比(PVCR)＞2.4。

發(fā)表于：8/1/2019 1:40:00 PM

基于VO2相變特性的THz波動態(tài)調(diào)控研究進展[微波|射頻][工業(yè)自動化]

太赫茲(Terahertz，THz)波位于光子學向電子學的過渡區(qū)域，在高速寬帶通信、雷達、成像等領域具有重要應用前景。但目前用于THz波動態(tài)調(diào)控的器件仍比較缺乏，這在一定程度上限制了THz技術(shù)的發(fā)展。VO2具有獨特的金屬—絕緣體相變特性，相變過程可以應用于動態(tài)調(diào)控THz波傳輸。探索超材料與VO2結(jié)合以制備高效、動態(tài)、靈活的太赫茲功能器件也是近來的研究熱點。簡述了VO2的相變特性，并分析了微觀結(jié)構(gòu)和化學成分等因素對相變特性的影響；系統(tǒng)回顧了VO2薄膜相變過程中的THz波調(diào)控性能研究進展，總結(jié)了VO2與超材料不同結(jié)合方式在THz波動態(tài)調(diào)控方面的應用；并對基于VO2相變特性的THz波調(diào)控功能器件發(fā)展前景與挑戰(zhàn)進行了展望。

發(fā)表于：7/31/2019 2:18:00 PM

太赫茲固態(tài)放大器研究進展[微波|射頻][工業(yè)自動化]

隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，晶體管特征頻率不斷提高，已經(jīng)進入到太赫茲（THz）頻段，使得固態(tài)器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號進行放大，在THz系統(tǒng)中起著關鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管/雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進展。

發(fā)表于：7/31/2019 1:52:00 PM

車路協(xié)同的云管邊端架構(gòu)及服務研究[通信與網(wǎng)絡][通信網(wǎng)絡]

對智能交通業(yè)務的發(fā)展趨勢、車路協(xié)同技術(shù)及系統(tǒng)要求以及國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀進行了介紹；同時重點闡述了智能網(wǎng)聯(lián)交通體系之車路協(xié)同云管邊端架構(gòu)方案，介紹了中心云、交通專網(wǎng)/電信網(wǎng)絡、邊緣云、車載/路側(cè)終端協(xié)同的“云-管-邊-端”統(tǒng)一架構(gòu)，同時提出了基于云管邊端架構(gòu)的車路協(xié)同多源數(shù)據(jù)融合信息服務能力開放框架，并對其具體功能要求、API調(diào)用方式進行了詳細論述。

發(fā)表于：7/30/2019 11:50:00 AM

5G中Multi-TRP based URLLC傳輸方案設計[通信與網(wǎng)絡][通信網(wǎng)絡]

超高可靠低時延通信（URLLC）作為5G的三大應用場景之一，受到了越來越廣泛的關注。車聯(lián)網(wǎng)是URLLC的主要應用之一，對信息傳輸?shù)目煽啃杂泻芨叩男枨蟆榱嗽鰪妭鬏數(shù)聂敯粜院涂煽啃裕瑥目辗帧㈩l分和時分的角度分別介紹了多種Multi-TRP based URLLC技術(shù)方案，對比分析了其優(yōu)缺點。此外，設計了一種新的動態(tài)切換傳輸方式的信令指示方案，并對多種方案進行了性能仿真評估。仿真結(jié)果表明，動態(tài)切換的方式能提供顯著的性能增益。

發(fā)表于：7/30/2019 11:41:00 AM