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基于SIP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路設(shè)計(jì)[EDA與制造][工業(yè)自動(dòng)化]

存儲(chǔ)系統(tǒng)小型化、高性能需求與日俱增，為此設(shè)計(jì)了一款基于SiP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路，用于驗(yàn)證存儲(chǔ)系統(tǒng)SiP電路的可行性。該SiP電路內(nèi)部以SSD控制模塊為核心處理單元，集成了用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的NAND顆粒、用于固件存儲(chǔ)的SPI Flash以及電源管理等元器件。在搭建的軟硬件平臺(tái)上進(jìn)行底層ATA指令驗(yàn)證以及與傳統(tǒng)分離式存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)比性能測(cè)試，證明了應(yīng)用SiP技術(shù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)具備高性能、小型化、低功耗等諸多優(yōu)勢(shì)，為后續(xù)SiP存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證奠定了一定的技術(shù)基礎(chǔ)。

發(fā)表于：3/20/2024 1:02:21 PM

一種高效能可重構(gòu)1 024位大數(shù)乘法器的設(shè)計(jì)[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

在SM9加密等算法中經(jīng)常使用大數(shù)乘法，為了解決大數(shù)乘法中關(guān)鍵電路延遲過高、能耗過大的問題，設(shè)計(jì)了一種基于流水線的可重構(gòu)1 024位乘法器。使用64位乘法單元和128位先行進(jìn)位加法單元，分20個(gè)周期流水產(chǎn)生最終結(jié)果，緩解了傳統(tǒng)乘法器中加法部分的延時(shí)，實(shí)現(xiàn)電路復(fù)用，有效減小能耗。在SMIC 0.18 μm工藝庫(kù)下，關(guān)鍵電路延遲2.5 ns，電路面積7.03 mm2 ，能耗576 mW。

發(fā)表于：3/20/2024 1:02:19 PM

基于負(fù)載追蹤補(bǔ)償?shù)拇箅娏鱈DO設(shè)計(jì)[電源技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

提出一種有效提升大電流輸出應(yīng)用的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）環(huán)路穩(wěn)定性的技術(shù)，采用負(fù)載追蹤補(bǔ)償方式消除電路輸出端與負(fù)載相關(guān)的極點(diǎn)對(duì)環(huán)路穩(wěn)定性的影響，且在維持環(huán)路低頻增益不變的前提下降低高頻下環(huán)路中節(jié)點(diǎn)阻抗，從而達(dá)到同時(shí)提升輸出精度和優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)性能的目的。采用TSMC 0.18 µm BCD工藝進(jìn)行仿真驗(yàn)證，結(jié)果表明電路最大輸出電流6 A，在6 A/6 μs的負(fù)載突變情況下輸出電壓下沖為36.6 mV，過沖為35.3 mV，穩(wěn)定時(shí)間小于56.3 μs。全負(fù)載電流范圍內(nèi)，瞬態(tài)性能大幅提升。

發(fā)表于：3/20/2024 1:02:11 PM

全局通道注意力增強(qiáng)的毫米波圖像目標(biāo)檢測(cè)[人工智能][安防電子]

針對(duì)主動(dòng)毫米波圖像中目標(biāo)與背景紋理區(qū)分度較低導(dǎo)致隱匿目標(biāo)漏檢問題，并根據(jù)安檢實(shí)時(shí)性要求，提出一種基于全局通道注意力增強(qiáng)的主動(dòng)毫米波圖像目標(biāo)檢測(cè)方法。該方法以YOLOv5s為載體，在坐標(biāo)注意力位置方向上引入全局通道注意模塊，增強(qiáng)對(duì)隱匿目標(biāo)全局通道信息的關(guān)注，從而提升在隱匿目標(biāo)與背景紋理區(qū)分度較低時(shí)的檢測(cè)能力；再利用K-means++聚類算法重新生成適合毫米波圖像目標(biāo)檢測(cè)的錨框。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，無論是陣列圖像數(shù)據(jù)集還是線掃圖像數(shù)據(jù)集，該方法增強(qiáng)了對(duì)隱匿目標(biāo)的特征注意，提高了召回率，在滿足安檢實(shí)時(shí)性的前提下，提升了檢測(cè)性能。通過增加少量參數(shù)，在陣列圖像數(shù)據(jù)集上，精度、召回率和mAP@.5達(dá)到了92.0%、90.93%和95.32%；在線掃圖像數(shù)據(jù)集上，精度、召回率和mAP@.5達(dá)到了94.65%、92.67%和97.73%。平均單張圖像推理時(shí)間在兩個(gè)數(shù)據(jù)集上均達(dá)到1 ms，滿足實(shí)時(shí)性要求。

發(fā)表于：3/20/2024 1:02:09 PM

Wi-Fi7關(guān)鍵技術(shù)分析綜述[通信與網(wǎng)絡(luò)][物聯(lián)網(wǎng)]

迄今IEEE已經(jīng)制定了下一代Wi-Fi7標(biāo)準(zhǔn)（即802.11be）的主要內(nèi)容。Wi-Fi7標(biāo)準(zhǔn)作為Wi-Fi技術(shù)性能演進(jìn)的標(biāo)桿，預(yù)計(jì)2024年以后支持Wi-Fi7的產(chǎn)品將逐漸成為市場(chǎng)主流。首先概述Wi-Fi7的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)和特征，然后著重介紹與分析多鏈路同傳技術(shù)和多資源單位的工作原理以及對(duì)Wi-Fi技術(shù)帶來的變化或影響，并且闡述了Wi-Fi7物理層的調(diào)制方式和帶寬的變化，接著對(duì)Wi-Fi7到Wi-Fi8的潛在技術(shù)演進(jìn)進(jìn)行分析和探討，最后對(duì)Wi-Fi技術(shù)發(fā)展做總結(jié)和展望。

發(fā)表于：3/20/2024 1:02:07 PM

6G關(guān)鍵技術(shù)及其面臨的挑戰(zhàn)[通信與網(wǎng)絡(luò)][5G]

6G及未來的通信系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)將滿足一個(gè)世界性完全連接的要求，革命性的技術(shù)方案預(yù)計(jì)將推動(dòng)快速增長(zhǎng)的智能設(shè)備和服務(wù)應(yīng)用。針對(duì)實(shí)現(xiàn)6G互聯(lián)互通目標(biāo)的重大技術(shù)應(yīng)用進(jìn)行深入的相關(guān)主題研究，包括在太赫茲波段與更廣泛的網(wǎng)絡(luò)操作實(shí)現(xiàn)通信、智能通信環(huán)境、人工智能、網(wǎng)絡(luò)自動(dòng)化、環(huán)境反向散射通信、用立方體衛(wèi)星和無人機(jī)實(shí)現(xiàn)的衛(wèi)星物聯(lián)網(wǎng)、無蜂窩大規(guī)模MIMO通信等，并討論技術(shù)應(yīng)用可能面臨的問題挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：3/20/2024 1:02:05 PM

基于5G網(wǎng)絡(luò)的RedCap部署方案研究[通信與網(wǎng)絡(luò)][5G]

RedCap作為輕量化的5G技術(shù)，是5G Rel-17 版本定義的新終端類型，可有效兼顧行業(yè)對(duì)于技術(shù)性能和部署成本的并存需求。一般認(rèn)為，這種輕量級(jí)5G技術(shù)的核心價(jià)值在于與5G NR網(wǎng)絡(luò)優(yōu)異特性的融合，即如何基于運(yùn)營(yíng)商已部署的5G無線網(wǎng)引入RedCap是其中的關(guān)鍵問題。結(jié)合運(yùn)營(yíng)商無線網(wǎng)現(xiàn)狀，通過分析RedCap與無線網(wǎng)絡(luò)側(cè)相關(guān)的功能特性，提出引入RedCap后的無線網(wǎng)組網(wǎng)部署方案，包括無線網(wǎng)升級(jí)方案、參數(shù)配置方案以及信令開銷策略等，可為國(guó)內(nèi)各運(yùn)營(yíng)商在方案制定及工程實(shí)施上提供參考。

發(fā)表于：3/20/2024 1:02:03 PM

Flash陣列無效塊管理[EDA與制造][航空航天]

Flash陣列在當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域占據(jù)著重要地位，提高Flash陣列可靠性的關(guān)鍵在于提出合理的壞塊管理方法。針對(duì)固有壞塊，提出基于整合塊的壞塊管理方法和基于EEPROM查找表的壞塊管理方法。對(duì)于在使用過程中出現(xiàn)的突發(fā)壞塊，提出基于頁(yè)跳過和頁(yè)替換的突發(fā)壞塊管理方法。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)分析表明壞塊管理方法提高了NAND Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性，在保證存儲(chǔ)速度的情況下對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)空間得到最大化利用。

發(fā)表于：3/20/2024 1:02:00 PM

石墨烯膜實(shí)現(xiàn)超高壓太陽(yáng)電池陣的靜電防護(hù)[電源技術(shù)][航空航天]

針對(duì)空間電站太陽(yáng)電池陣容易在超高壓工作下出現(xiàn)靜電損傷的問題，通過研制具備高透過率和導(dǎo)電性的石墨烯透明導(dǎo)電膜，實(shí)現(xiàn)了全柔性太陽(yáng)電池組件表面零電位，達(dá)到靜電泄放的目的。在750 V串間高壓的試驗(yàn)條件下，石墨烯膜封裝的全柔性太陽(yáng)電池組件未出現(xiàn)放電現(xiàn)象，電性能未發(fā)生變化，證明了石墨烯膜在超高壓條件下的靜電防護(hù)能力。

發(fā)表于：3/20/2024 1:02:00 PM

硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀研發(fā)及應(yīng)用[測(cè)試測(cè)量][工業(yè)自動(dòng)化]

硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀廣泛應(yīng)用于核設(shè)施的放射性測(cè)量，基于目前正在開展的國(guó)產(chǎn)化研發(fā)項(xiàng)目，對(duì)硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀的總體設(shè)計(jì)研發(fā)、儀表主要硬件設(shè)計(jì)、軟件功能設(shè)計(jì)進(jìn)行了介紹，同時(shí)對(duì)硅半導(dǎo)體和氣體探測(cè)器主要技術(shù)參數(shù)進(jìn)行了對(duì)比，自主研發(fā)的硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀可滿足不同堆型眾多場(chǎng)景劑量率監(jiān)測(cè)的要求，具有良好的應(yīng)用前景。

發(fā)表于：3/20/2024 1:02:00 PM