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東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

6月29日消息，據(jù)scitechdaily報(bào)道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過(guò)InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開(kāi)發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。

集成電路卡數(shù)據(jù)完整性保護(hù)機(jī)制快速檢測(cè)方法

介紹了集成電路（Integrated Circuit，IC）卡數(shù)據(jù)完整性保護(hù)機(jī)制檢測(cè)方法，針對(duì)傳統(tǒng)單指令斷電檢測(cè)手段的局限性和不足提出二次斷電理論，用于檢測(cè)驗(yàn)證IC卡在執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)過(guò)程中出現(xiàn)中斷的事務(wù)保護(hù)機(jī)制。采用時(shí)間統(tǒng)計(jì)法和功耗統(tǒng)計(jì)法兩種改進(jìn)方案，計(jì)算斷電測(cè)試有效時(shí)間區(qū)域，解決二次斷電檢測(cè)效率低下問(wèn)題。最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證數(shù)據(jù)完整性保護(hù)機(jī)制快速檢測(cè)方法的有效性。

發(fā)表于：5/14/2025

一種雙向使能的負(fù)壓低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器

設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種可以雙向使能的負(fù)壓低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器（LDO）。首先介紹了傳統(tǒng)的負(fù)壓LDO基本架構(gòu)及工作特點(diǎn)，根據(jù)負(fù)壓LDO的應(yīng)用場(chǎng)景，提出負(fù)壓LDO的使能需要雙向使能。其次展示傳統(tǒng)的使能電路和提出的雙向使能電路，并按照正壓?jiǎn)?dòng)和負(fù)壓?jiǎn)?dòng)兩種情況分析。最后該負(fù)壓LDO芯片基于350 nm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造，測(cè)試結(jié)果顯示，該負(fù)壓LDO在使能信號(hào)大于0.6 V小于5 V區(qū)間和大于-5 V小于-0.9 V區(qū)間內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)雙向啟動(dòng)，且使能電路在正壓?jiǎn)?dòng)過(guò)程中消耗電流873 nA，在負(fù)壓?jiǎn)?dòng)過(guò)程中消耗電流219 nA。

發(fā)表于：5/14/2025

一種應(yīng)用于電流檢測(cè)的低失調(diào)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

針對(duì)電流檢測(cè)對(duì)運(yùn)算放大器性能的要求，提出一種新型低失調(diào)運(yùn)算放大器電路。采用低失調(diào)運(yùn)放、PMOS管和電阻構(gòu)成閉環(huán)電流采樣電路，整個(gè)運(yùn)放電路由主運(yùn)放和輔助運(yùn)放構(gòu)成，主運(yùn)放構(gòu)成的高頻通路控制電路帶寬，輔助放大器低頻通路利用斬波技術(shù)以及自調(diào)零技術(shù)降低電路失調(diào)。基于東部高科180BCD工藝對(duì)電路進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果表明，溫度為27 ℃，輸入失調(diào)電壓穩(wěn)定在9 μV，運(yùn)放增益為95.50 dB，增益帶寬積為28.2 MHz，相位裕度在76.6°以上，CMRR的值為148 dB，PSRR的值大于116 dB。該電路可用于高側(cè)電流檢測(cè)。

發(fā)表于：5/14/2025

2024年全球芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)6830億美元

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的報(bào)告顯示，英偉達(dá)在2024年的全球芯片公司營(yíng)收排名中躍居首位。與此同時(shí)，英飛凌和意法半導(dǎo)體均跌出前十名。

發(fā)表于：5/14/2025

英特爾暫不考慮業(yè)務(wù)拆分

5 月 14 日消息，芯片大廠(chǎng)英特爾新任 CEO 陳立武（Lip-Bu Tan）上任后，市場(chǎng)高度關(guān)注其是否會(huì)大幅調(diào)整公司發(fā)展方向。英特爾首席財(cái)務(wù)官 Dave Zinsner 在摩根大通技術(shù)會(huì)議（當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 13 日）上表示，陳立武將專(zhuān)注于提升現(xiàn)有戰(zhàn)略的執(zhí)行效能，而非進(jìn)行大規(guī)模重組。

發(fā)表于：5/14/2025

微軟全球再裁6000人：無(wú)關(guān)績(jī)效關(guān)乎未來(lái)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 13 日，微軟公司宣布將在全球范圍內(nèi)裁員約 6000 人，占其 22.8 萬(wàn)名員工總數(shù)的約 3%。

發(fā)表于：5/14/2025

傳三星已對(duì)DRAM產(chǎn)品漲價(jià)

5月13日消息，據(jù)韓國(guó)媒體ETNews報(bào)道，受到美國(guó)關(guān)稅戰(zhàn)掀起客戶(hù)提前備貨潮的帶動(dòng)，三星電子因客戶(hù)需求高漲，決定順勢(shì)調(diào)漲DRAM芯片的價(jià)格。報(bào)道稱(chēng)，三星已經(jīng)在跟客戶(hù)簽訂的新合約中大幅調(diào)漲DDR5、DDR4 DRAM報(bào)價(jià)。其中，DDR4的漲價(jià)幅度為20%、DDR5則漲價(jià)5%，但會(huì)因客戶(hù)不同而略有差異。

發(fā)表于：5/13/2025

2050年全球人形機(jī)器人產(chǎn)值將達(dá)5萬(wàn)億美元

近日，摩根士丹利（簡(jiǎn)稱(chēng)“大摩”）發(fā)布最新研究報(bào)告稱(chēng)，預(yù)計(jì)2050年人形機(jī)器人全球產(chǎn)值將突破5萬(wàn)億美元、部署規(guī)模上看10億臺(tái)。

發(fā)表于：5/13/2025

華為聯(lián)合優(yōu)必選全面推動(dòng)人形機(jī)器人工業(yè)與家庭場(chǎng)景落地

華為與優(yōu)必選科技簽署全面合作協(xié)議，推動(dòng)人形機(jī)器人工業(yè)與家庭場(chǎng)景落地

發(fā)表于：5/13/2025

2024全球功率半導(dǎo)體排名出爐

5月12日消息，根據(jù)英飛凌發(fā)布的2025財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)，2024年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)總規(guī)模縮小至323億美元。中國(guó)的士蘭微電子以3.3%的市場(chǎng)占有率躍升至全球第六，而比亞迪則首次躋身全球前十，市場(chǎng)份額達(dá)到3.1%位列第七。英飛凌作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的市占率仍位居全球第一，但2024年同比下降了2.9個(gè)百分點(diǎn)，降至17.7%。排名第二的安森美半導(dǎo)體市占率也下降了0.5個(gè)百分點(diǎn)，為8.7%；排名第三的意法半導(dǎo)體市占率下降了1個(gè)百分點(diǎn)，為7%。

發(fā)表于：5/13/2025

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