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東京大學研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

東京大學研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

6月29日消息，據(jù)scitechdaily報道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會上，東京大學工業(yè)科學研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結(jié)晶實現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時代延續(xù)摩爾定律的生命力。

高穩(wěn)定性光纖激光器恒流驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計與實現(xiàn)

光纖激光器波長和輸出功率的穩(wěn)定性易受泵浦源驅(qū)動電流波動的影響，為應(yīng)對該問題，設(shè)計了一款高精度、高穩(wěn)定性恒流驅(qū)動系統(tǒng)。恒流源部分采用閉環(huán)負反饋原理，通過金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）來控制恒流輸出，實現(xiàn)了對半導體激光器（LD）驅(qū)動電流的精準控制；限流保護電路利用二極管的限幅作用使LD免受過電流沖擊的影響，電流緩慢啟動采用軟件控制的方法確保LD免受浪涌電流損害；光功率探測電路采用ADA4530芯片，確保在極低光照水平下也可精準探測到功率輸出。實驗結(jié)果表明，該電路可實現(xiàn)驅(qū)動電流在0~1.2 A連續(xù)可調(diào)，電流短期（120 min）和長期（24 h）穩(wěn)定性分別為±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波長波動不超過±0.03 nm，輸出功率的穩(wěn)定度不超過0.084 3%，精度小于±0.15 mW。

發(fā)表于：4/21/2025

T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究

對Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機理與影響因素進行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況，并結(jié)合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點，進行了對應(yīng)的微區(qū)分析。另外，還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數(shù)對器件抗靜電能力的影響并進行相關(guān)機理分析，為器件ESD性能、可靠性的優(yōu)化提供了方向與參考。

發(fā)表于：4/21/2025

器件級帶電器件模型靜電放電測試標準分析及應(yīng)用

針對器件級帶電器件模型（CDM）靜電放電國內(nèi)外主要測試標準進行了整理、分析與解讀。梳理了各標準之間的差異性和關(guān)聯(lián)性，明確了各標準的應(yīng)用范圍與技術(shù)要點。深入研究了影響器件級帶電器件模型（CDM）靜電放電測試結(jié)果的因素與控制方法，提出了在標準應(yīng)用過程中保障結(jié)果一致性和準確性的相關(guān)技術(shù)技巧，為器件級帶電器件模型（CDM）測試標準的選擇、測試和工程應(yīng)用提供了指導。

發(fā)表于：4/21/2025

我國商業(yè)衛(wèi)星全產(chǎn)業(yè)鏈超市上線

　　4月18日，中國空間技術(shù)研究院商業(yè)航天卓越供應(yīng)平臺發(fā)布會在杭州舉行，近200家與商業(yè)航天相關(guān)的單位應(yīng)邀參加。大會以“商業(yè)航天卓越天選”為主題，旨在搭建商業(yè)航天領(lǐng)域的交流合作平臺，展現(xiàn)研究院堅決貫徹落實黨中央重大決策部署、積極落實集團公司第九次工作會相關(guān)部署，主動擁抱商業(yè)航天的堅定決心和迅即行動。

發(fā)表于：4/21/2025

全鏈條自主可控！國產(chǎn)腦機接口芯片實現(xiàn)新突破！

腦機接口（Brain-Computer Interface，BCI）是一種直接連接大腦與外部設(shè)備的技術(shù)，允許通過神經(jīng)信號實現(xiàn)人機交互，無需依賴傳統(tǒng)的肌肉或語言指令。簡單來說，腦機接口就像是大腦和外部世界之間的“超級鏈接”。它讓我們能夠跳過軀體，直接用意念來操控那些曾經(jīng)只能用手或語言控制的設(shè)備，不再需要繁瑣的操作和復雜的指令，只需一個念頭就能開啟全新的世界。目前腦機接口技術(shù)通常根據(jù)“侵入性”被分為：非侵入式（腦外）、侵入式和半侵入式三大類。由于大腦的信息的收發(fā)是通過神經(jīng)元來完成的，所以腦機接口需要通過“傳感器”來監(jiān)聽神經(jīng)元的活動，而傳感器（神經(jīng)電極）距離神經(jīng)元越近，信號的清晰度就會越高。因此，半侵入式和侵入式的腦機接口技術(shù)可以獲得更高清晰度的腦電信號，但是這類技術(shù)的門檻也相對較高。埃隆·馬斯克旗下的明星腦機接口公司Neuralink選擇的就是侵入式腦機接口技術(shù)。

發(fā)表于：4/21/2025

天工機器人成為首個人形機器人半馬冠軍

4月19日消息，今天上午，全球首個人形機器人半程馬拉松在北京亦莊開跑，21支機器人隊伍與12000名人類選手同場競技，共同挑戰(zhàn)21.0975公里的賽道。據(jù)央視新聞官微介紹，目前天工機器人以2小時40分率先沖線完賽，奪得冠軍。

發(fā)表于：4/21/2025

納祥科技模數(shù)轉(zhuǎn)換ADC NX5340支持大部分音頻格式

納祥科技NX5340，是一款高性能、穩(wěn)定的24bit ADC芯片，可用于數(shù)字音頻系統(tǒng)，可進行采樣、模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換，抗混疊濾波，生成以串行形式為左、右聲道輸入24 位值，采樣率高達每通道 200千赫。 NX5340兼容性好，芯片可以在外持轉(zhuǎn)數(shù)字轉(zhuǎn)發(fā)射光纖和銅軸芯片CS8406就能實現(xiàn)數(shù)字發(fā)射機功能；可以外掛CS8416+CS4344作數(shù)字信號和模擬信號雙路輸入功能。

發(fā)表于：4/21/2025

全光驅(qū)動計算機大突破：可編程芯片首次用光訓練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)

4月21日消息，據(jù)《自然·光子學》雜志報道，美國賓夕法尼亞大學的研究團隊成功開發(fā)出了首款極具創(chuàng)新性的可編程芯片，這款芯片能夠巧妙地利用光來實現(xiàn)非線性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓練。

發(fā)表于：4/21/2025

ABB計劃拆分機器人業(yè)務(wù)

瑞士工業(yè)巨頭ABB于4月17日宣布，將對其機器人業(yè)務(wù)單元實施100%分拆，并計劃于2026年第二季度完成獨立上市。這一舉措標志著ABB在業(yè)務(wù)重組方面邁出了重要一步，旨在進一步優(yōu)化公司結(jié)構(gòu)，提升機器人業(yè)務(wù)的市場競爭力。資料顯示，ABB的機器人業(yè)務(wù)在全球市場排名第二，僅次于日本發(fā)那科。2024年，該部門的銷售收入達到23億美元，占ABB集團總收入的7%，其擁有約7000名員工，生產(chǎn)基地遍布全球，包括瑞典韋斯特羅斯、美國密歇根和中國上海。

發(fā)表于：4/18/2025

消息稱三星電子HBM4內(nèi)存邏輯芯片進展較佳

4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了 40% 的良率，這高于一般的 10% 起點，也好于此前同制程產(chǎn)品的不足 20%。 40% 只是一個初期成績，未來會隨著芯片制造的成熟逐步提高。而該百分比顯示 4nm HBM4 邏輯芯片的進一步開發(fā)有了較為穩(wěn)定的基礎(chǔ)。

發(fā)表于：4/18/2025

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