《電子技術應用》
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三星將量產(chǎn)30nm級DRAM內(nèi)存芯片 速度將翻倍

2010-07-22

      7月22日消息,據(jù)國外媒體報道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子星期三稱,它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)高級的DRAM內(nèi)存芯片。這將有助于拉開三星電子與二流競爭對手的距離和降低生產(chǎn)成本。 

 
     三星電子在聲明中稱,它已經(jīng)從本月開始使用30nm級加工技術大批量生產(chǎn)新的2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。 
 
    30nm級意味著一個加工技術節(jié)點在30至39納米之間,是比三星電子一年前開發(fā)的技術更高級的技術。1nm是1m的十億分之一。DRAM內(nèi)存用于服務器、筆記本電腦和臺式電腦保持數(shù)據(jù)。 
 
    三星電子稱,30nm級技術預計將比50nm或者60nm加工技術生產(chǎn)的同樣的芯片減少大約一半的成本。 
 
    三星電子稱,新的用于PC的內(nèi)存芯片能夠以每秒鐘2 133Mb的速度處理數(shù)據(jù),比其它產(chǎn)品的速度快16倍。 
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