日本半導(dǎo)體 （芯片）、液晶技術(shù)研發(fā)機(jī)構(gòu)「日本半導(dǎo)體能源研究所（SEL、Semiconductor Energy Laboratory）」已研發(fā)出可將耗電力壓縮至現(xiàn)行1/10以下水準(zhǔn)的下代芯片量產(chǎn)技術(shù)，且臺(tái)灣晶圓代工大廠聯(lián)電 將搶先在2016年夏天開(kāi)始生產(chǎn)采用上述技術(shù)的CPU、存儲(chǔ)器產(chǎn)品。

　　報(bào)導(dǎo)指出，SEL舍棄現(xiàn)行主流的矽、改用被稱為「IGZO」的氧化物半導(dǎo)體的特殊結(jié)晶體，藉由形成多層電子電路 （electronic circuit）、防止電流外漏，借此達(dá)到省電的效果，除可大幅改善智能手機(jī)等電子機(jī)器的電池壽命之外，也有望促進(jìn)智能手表等穿戴式裝置的普及速度。

　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，除CPU、存儲(chǔ)器之外，上述新技術(shù)也可應(yīng)用在傳感器、邏輯集成電路 （IC）等廣泛半導(dǎo)體產(chǎn)品上，借此可將智能手表等穿戴式裝置的電池壽命延長(zhǎng)至現(xiàn)行的約10倍水準(zhǔn)，而SLE計(jì)畫(huà)將該技術(shù)賣給全球半導(dǎo)體廠商、借此收取特許費(fèi)。

　　報(bào)導(dǎo)并指出，今后半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料可能將從現(xiàn)行主流的矽轉(zhuǎn)換成IGZO特殊結(jié)晶體，而美國(guó)英特爾（Intel）、南韓三星電子（Samsung Electronics）等全球半導(dǎo)體大廠也正持續(xù)關(guān)注此種技術(shù)動(dòng)向。