根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新數(shù)據(jù)，2017年將是全球半導(dǎo)體資本支出大年，共有15家半導(dǎo)體公司進(jìn)入“十億美元俱樂部”，即2017年資本支出計劃達(dá)到或超過10億美元。十億美元俱樂部比2016年增加4家，而2013年時僅有8家。

時隔五年之后，英飛凌有望再次進(jìn)入十億美元俱樂部，而瑞薩也是十多年來首次資本支出達(dá)到10億美元線，看好汽車半導(dǎo)體從而加大投資是這兩家進(jìn)入資本支出排行榜前列的主要原因。南亞科技與意法半導(dǎo)體也在時隔數(shù)年之后重入榜單。

IC Insights表示，由于近年來中國大陸大力擴(kuò)充晶圓制造產(chǎn)能，所以預(yù)計未來幾年，將有更多中國大陸半導(dǎo)體公司進(jìn)入“資本支出大公司”榜單。

如圖所示，2017年資本支出前十五大公司中包含4家純晶圓代工廠，15家支出總和預(yù)計為628億美元，占2017年全球半導(dǎo)資本支出總額比例為83%，為11年以來最高比例。

英特爾、三星、格芯（GlobalFoundries）和海力士（SK Hynix）四家資本支出計劃增長最多。相比2016年，三星預(yù)計增加32億美元支出，英特爾預(yù)計增加23.75億美元支出，格芯預(yù)計增加8.65億美元，海力士預(yù)計增加8.12億美元，四家公司支出增加值合計為72.52億美元。2017年全行業(yè)資本支出計劃比2016年增加80.21億美元，三星、英特爾、格芯和海力士四家資本支出增加值合計占了90%。

產(chǎn)品類別中，DRAM/SRAM資本支出同比增長31%，增長率居首。2016年第三季度開始的DRAM價格瘋漲，讓DRAM制造商再一次步入增加資本支出階段。

2016年投資于閃存的資本支出為146億美元，遠(yuǎn)高于DRAM產(chǎn)品資本支出（85億美元）。IC Insights估計，2016年和2017年投入到閃存的資本支出主要用于3D NAND閃存工藝技術(shù)，而不再投入到平面閃存工藝。2017年閃存資本支出增加主要來自于三星，三星將擴(kuò)大其在韓國平澤市（Pyeongtaek）超大新晶圓廠的3D NAND產(chǎn)能。

臺積電在強(qiáng)資本支出策略下縮小了和英特爾工藝差距

（圖片源于IDF2011英特爾演講）

短評：半導(dǎo)體制造是重資本支出行業(yè)，資本支出能力不足的公司，已經(jīng)逐漸脫離先進(jìn)工藝競爭者行列。與非網(wǎng)分析師王樹一注意到，過去11年中，有9年三星資本支出都排名榜首，英特爾只有兩年排名第一。雖然存儲器工藝與邏輯工藝有區(qū)別，但從三星半導(dǎo)體營收來看，強(qiáng)資本支出策略對維持三星存儲器優(yōu)勢居功至偉。同樣，臺積電自2009年開始進(jìn)入資本支出榜前三名，這也是臺積電與其他純代工廠技術(shù)代差拉大的開始。

臺積電強(qiáng)資本支出策略使其能夠在合適的時間點(diǎn)切換工藝

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，缺乏足夠的資本支出，就不可能跟上工藝演進(jìn)節(jié)奏。