據(jù)財(cái)聯(lián)社消息，美光總裁暨執(zhí)行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）5月26日表示，中國臺灣中科新廠啟用后，美光將會導(dǎo)入先進(jìn)性1a nmDRAM制程生產(chǎn)以及最先進(jìn)的極紫外光（EUV）設(shè)備。

　　公開資料顯示，EUV制程采用波長為10-14nm的極紫外光作為光源的光刻，相較于將蝕刻液噴灑在半導(dǎo)體表面，利用蝕刻液與半導(dǎo)體基底化學(xué)反應(yīng)的DUV，蝕刻的各向異性明顯改善，對于精確度要求較高的集成電路，EUV使電路分辨率和良率得到極大提升。

　　簡單而言，利用EUV設(shè)備生產(chǎn)DRAM，將極大的提高產(chǎn)能、良率，并降低成本。這也使得EUV的爭奪愈加白熱化。

　　基于EUV技術(shù)對DRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)的好處，三星、SK海力士和美光這三大DRAM廠商已先后進(jìn)入了EUV DRAM市場。

　　三星

　　三星率先引入了EUV。2020 年3月，三星率先使用極紫外（EUV)光刻技術(shù)，同年10月便開始批量生產(chǎn)基于EUV的14nm DRAM。在此過程中，三星將其最先進(jìn)的14nm DDR5上的EUV層數(shù)從兩層增加到了五層DRAM工藝。

　　2021年11月，三星表示，其已經(jīng)應(yīng)用EUV技術(shù)開發(fā)了14nm 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，專門用于5G、人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)和其他大數(shù)據(jù)終端應(yīng)用等高速率應(yīng)用。此外，該公司還發(fā)布了其首個(gè)支持新型計(jì)算快速鏈接(Compute ExpressLink,CXL) 互連標(biāo)準(zhǔn)的DRAM內(nèi)存模塊，并發(fā)布了專為自主電動汽車和高性能信息娛樂系統(tǒng)設(shè)計(jì)的2GB GDDR6和2GB DDR4汽車DRAM。

　　今年2月，三星官方表示其基于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的1z-nm工藝的DRAM已完成了量產(chǎn)。業(yè)界消息顯示，三星還將繼續(xù)為下一代DRAM增加EUV步驟，其三星的P3工廠也將采用EUV工藝生產(chǎn)10nm DRAM。

　　SK海力士

　　SK海力士引入EUV是在2021年。2021年2月，SK海力士完成首個(gè)用于DRAM的EUV晶圓廠M16，正式引入了EUV光刻設(shè)備。2021年7月，SK海力士宣布量產(chǎn)了1a nm工藝的8千兆的LPDDR4 EUV DRAM。

　　官方消息顯示，與第三代1z nm內(nèi)存芯片相比，1a技術(shù)在相同的晶圓面積下，生產(chǎn)的芯片數(shù)量可以增加25%。此外，202年SK海力士還發(fā)布了據(jù)稱是業(yè)界性能最高的DDR5 DRAM，作為海力士的第三代高帶寬內(nèi)存，該芯片被稱為HBM3。

　　美光

　　對比前兩家的早早加碼EUV，美光方面則稍晚一些。據(jù)外媒此前消息，美光計(jì)劃從2024年開始，將EUV納入DRAM開發(fā)路線圖。美光在2021年推出了其1a nm內(nèi)存節(jié)點(diǎn)DRAM，推出時(shí)該工藝依舊未使用EUV光刻技術(shù)，美光稱其存儲密度比之前的1z nm節(jié)點(diǎn)DRAM 提高40%。

　　今年5月26日，美光表示，將在中國臺灣中科新廠啟用后導(dǎo)入最先進(jìn)的極紫外光（EUV）設(shè)備或用來生產(chǎn)1a nm DRAM制程。這是否是制程升級給美光帶來了新的壓力，我們不得而知。但是可以確定的是，三大DRAM廠商EUV競爭已進(jìn)一步升級。