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EDA與制造相關(guān)文章

三星計劃三年內(nèi)量產(chǎn)V-DRAM

4月28日消息，據(jù)韓國媒體 sedaily 報導(dǎo)，三星電子已確定將在三年內(nèi)量產(chǎn)被稱為次世代內(nèi)存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍圖。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個世代成功量產(chǎn)，以挽回“超級差距”的地位。

發(fā)表于：4/29/2025

中國臺灣出臺新規(guī)：限制臺積電最先進工藝技術(shù)出口！

4月28日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，中國臺灣計劃加強對先進工藝技術(shù)出口和半導(dǎo)體對外投資的控制。新的產(chǎn)創(chuàng)條例第22條已經(jīng)獲得了正式通過，針對臺積電赴美投資將執(zhí)行“N-1”技術(shù)限制，基本上禁止臺積電出口其最新的生產(chǎn)節(jié)點，并對違規(guī)行為進行處罰。不過，該新規(guī)的具體實施日期尚未公布。

發(fā)表于：4/29/2025

聯(lián)電稱與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)明年通過驗證

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電2024年度營運報告書出爐。其中提到，與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺進展順利，預(yù)計2026年完成制程開發(fā)并通過驗證。聯(lián)電還披露了封裝領(lǐng)域進展，晶圓級混合鍵合技術(shù)、3D IC異質(zhì)整合等技術(shù)已成功開發(fā)，未來將全面支持邊緣及云端AI應(yīng)用。

發(fā)表于：4/28/2025

SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4

4月28日消息，據(jù)wccftech報道，繼今年3月宣布全球首次向客戶提供12層堆疊HBM4樣品之后，SK海力士在近日的臺積電北美技術(shù)論壇又首次向公眾展示其最新的16層堆疊HBM4方案。據(jù)SK海力士介紹，其此次展示的16層堆疊HBM4具有高達 48 GB 的容量、2.0 TB/s 帶寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die則是由臺積電代工。SK 海力士表示，他們正在尋求在 2025 年下半年之前進行大規(guī)模生產(chǎn)，這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產(chǎn)品中。

發(fā)表于：4/28/2025

TechInsights：中美關(guān)稅戰(zhàn)將致2026年全球半導(dǎo)體市場萎縮34%

當(dāng)?shù)貢r間4月26日，半導(dǎo)體市場研究機構(gòu) TechInsights 發(fā)表它對目前美國和中國之間持續(xù)存在的“關(guān)稅戰(zhàn)爭”對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的負(fù)面影響的看法。

發(fā)表于：4/28/2025

佳能下調(diào)2025年光刻機銷量至289臺

4月24日日本股市盤后，相機及光刻機大廠佳能（Canon）在公布了2025年一季度（2025年1-3月）財報的同時，下修了2025年度的整體業(yè)績預(yù)期。佳能一季度合并營收較去年同期增長7.1%至10584億日元，合并營業(yè)利潤同比增長20.5%至965億日元，合并凈利潤同比增長20.5%至722億日元。

發(fā)表于：4/28/2025

中汽研發(fā)布《新能源汽車電安全技術(shù)年度報告（2025）》

4 月 28 日消息，中汽中心新能源檢驗中心上周發(fā)布了《新能源汽車電安全技術(shù)年度報告（2025）》（下稱《報告》）。新能源汽車以“三電”系統(tǒng)為核心，相比傳統(tǒng)燃油汽車，存在更多電安全方面的新問題新挑戰(zhàn)。《報告》指出，新能源汽車行業(yè)競爭加劇，部分新技術(shù)沒有得到充分驗證就量產(chǎn)上車，為行業(yè)發(fā)展留下了潛在安全風(fēng)險隱患。《報告》中還分析了我國新能源汽車發(fā)展現(xiàn)狀、技術(shù)發(fā)展趨勢，介紹了包括“充電、電磁、功能、高壓、電池、消防”六個維度的 NESTA 電安全技術(shù)驗證體系。

發(fā)表于：4/28/2025

臺積電升級CoWoS封裝技術(shù) 目標(biāo)1000W功耗巨型芯片

4月25日消息，如今的高端計算芯片越來越龐大，臺積電也在想盡辦法應(yīng)對，如今正在深入推進CoWoS封裝技術(shù)，號稱可以打造面積接近8000平方毫米、功耗1000W級別的巨型芯片，而性能可比標(biāo)準(zhǔn)處理器高出足足40倍。目前，臺積電CoWoS封裝芯片的中介層面積最大可以做到2831平方毫米，是臺積電光罩尺寸極限的大約3.3倍——EUV極紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，臺積電用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是這種封裝，將大型計算模塊和多個HBM內(nèi)存芯片整合在一起。

發(fā)表于：4/27/2025

臺積電公布N2 2nm缺陷率

4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。

發(fā)表于：4/27/2025

臺積電A14第二代GAA工藝解讀

A14 工藝：技術(shù)亮點深度剖析1、晶體管技術(shù)升級：從 FinFET 到 GAAFET

發(fā)表于：4/27/2025

傳Intel 18A制程將獲英偉達博通等廠商訂單

4月25日消息，據(jù)外媒wccftech報道，英特爾即將量產(chǎn)的最尖端制程工藝Intel 18A在獲得內(nèi)部產(chǎn)品采用的同時，也將獲得包括英偉達(Nvidia)、博通(Broadcom)在內(nèi)的幾家ASIC廠商的代工訂單。

發(fā)表于：4/25/2025

三星將逐步停產(chǎn)HBM2E 轉(zhuǎn)向HBM3E和HBM4

DDR4之后三星將逐步停產(chǎn)HBM2E：轉(zhuǎn)向HBM3E和HBM4

發(fā)表于：4/25/2025

傳統(tǒng)晶體管的極限臺積電3nm N3P已量產(chǎn) N3X馬上來

4月24日消息，除了發(fā)展N2、A16、A14等采用GAAFET全環(huán)繞晶體管的全新工藝，臺積電還在持續(xù)挖掘傳統(tǒng)FinFET立體晶體管的極限，最后一代用它的N3系列工藝節(jié)點仍在不斷演進。

發(fā)表于：4/24/2025

《芯片戰(zhàn)爭》作者發(fā)聲：美國半導(dǎo)體關(guān)稅將得不償失

4月23日消息，針對美國特朗普政府在發(fā)起全球關(guān)稅戰(zhàn)之后，還將計劃對半導(dǎo)體行業(yè)加征關(guān)稅一事，《芯片戰(zhàn)爭》作者（Chip War）作者米勒（Chris Miller）近日在《金融時報》發(fā)文表示，美國此舉的本意可能是加強美國制造，但實際的效果可能適得其反，可能還會加劇企業(yè)在海外制造，建議應(yīng)與日本、韓國、中國臺灣和歐洲合作建立全球芯片產(chǎn)業(yè)，讓半導(dǎo)體的生產(chǎn)既可靠、又具效率。

發(fā)表于：4/24/2025

臺積電發(fā)布SoW-X晶圓尺寸封裝系統(tǒng)

4 月 24 日消息，臺積電 2025 年北美技術(shù)論壇不僅公布了最先進的 A14制程，在先進封裝領(lǐng)域也有多項重要信息公布。

發(fā)表于：4/24/2025

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