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EDA與制造相關(guān)文章

臺積電2025年5nm和3nm制程漲價3%~5%

臺積電2025年5nm和3nm制程漲價3%~5%，已于7月通知客戶

發(fā)表于：8/6/2024

俄羅斯目前僅有5臺老式ASML光刻機(jī)

8月1日消息，自俄烏沖突爆發(fā)之后，俄羅斯被眾多國家和地區(qū)制裁，導(dǎo)致各種半導(dǎo)體芯片及設(shè)備的進(jìn)口都受到了限制。這也迫使俄羅斯加大了對于自研、本土制造芯片的投入，但依然會面臨設(shè)備、材料等很多方面的瓶頸。不過，據(jù)外媒《The Insider》報導(dǎo)，俄羅斯目前仍然可以通過一些途徑從中國臺灣進(jìn)口半導(dǎo)體硅片等產(chǎn)品，這些是制造芯片所必須的原材料。

發(fā)表于：8/6/2024

imec Si MOS量子點制造實現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的低電荷噪聲

近日，比利時微電子研究中心（imec）宣布成功演示了高質(zhì)量 300 毫米硅基量子點自旋量子比特處理，該設(shè)備在 1Hz 時產(chǎn)生具有統(tǒng)計意義的平均電荷噪聲 0.6µeV/√ Hz。就噪聲性能而言，所獲得的值是在 300 毫米晶圓廠兼容平臺上實現(xiàn)的最低電荷噪聲值。如此低的噪聲值可實現(xiàn)高保真量子比特控制，因為降低噪聲對于保持量子相干性和高保真控制至關(guān)重要。通過在 300 毫米 Si MOS 量子點工藝上反復(fù)且可重復(fù)地演示這些值，這項工作使基于硅基量子點的大規(guī)模量子計算機(jī)成為現(xiàn)實。

發(fā)表于：8/6/2024

安森美8英寸碳化硅晶圓將進(jìn)行資格認(rèn)證

8月6日消息，圖像傳感器及功率半導(dǎo)體大廠安森美（Onsemi）近日宣布，將于今年晚些時候?qū)?00毫米（8英寸）碳化硅晶圓進(jìn)行認(rèn)證，并于2025年投產(chǎn)。

發(fā)表于：8/6/2024

中國新公司的涌現(xiàn)速度超過了美國禁令所能打擊的速度

中國新公司的涌現(xiàn)速度超過了美國禁令所能打擊的速度

發(fā)表于：8/6/2024

極氪首位人形機(jī)器人員工上崗

8月5日消息，優(yōu)必選科技近日宣布與吉利和天奇股份建立戰(zhàn)略合作關(guān)系。三方將利用各自的優(yōu)勢資源，共同推動人形機(jī)器人在汽車及零部件智能制造領(lǐng)域的應(yīng)用，并聯(lián)合創(chuàng)建創(chuàng)新示范項目

發(fā)表于：8/6/2024

三星電子宣布量產(chǎn)業(yè)界最薄 LPDDR5 內(nèi)存封裝

三星電子宣布量產(chǎn)業(yè)界最薄 LPDDR5 內(nèi)存封裝，較上代厚度減約 9%

發(fā)表于：8/6/2024

SEMI：第二季全球半導(dǎo)體硅片出貨面積環(huán)比增長7.1%

SEMI：第二季全球半導(dǎo)體硅片出貨面積環(huán)比增長7.1%，創(chuàng)四個季度新高

發(fā)表于：8/5/2024

安森美旗下氮化鎵芯片代工廠BelGaN申請破產(chǎn)

8月3日消息，位于比利時奧德納爾德的氮化鎵（GaN）芯片代工廠BelGaN已申請破產(chǎn)。資料顯示，BelGaN團(tuán)隊和工廠源于1983年成立的MIETEC，后來該公司被阿爾卡特收購，再后來又被AMI Semiconductor收購，2008年，該公司又被出售給了安森美半導(dǎo)體，并于2009年開始開發(fā)GaN，致力于成為歐洲領(lǐng)先的6英寸和8英寸氮化鎵汽車半導(dǎo)體代工廠。

發(fā)表于：8/5/2024

SK海力士計劃在2025年底量產(chǎn)400層NAND Flash

8月3日消息，據(jù)etnews報道，SK海力士計劃在2025年上半年量產(chǎn)321層NAND Flash之后，在2025年底開始量產(chǎn)400層NAND Flash，并希望在2026年上半年過渡到大規(guī)模生產(chǎn)。然而，要想量產(chǎn)高達(dá)400層的NAND Flash并不容易，生產(chǎn)過程中需要用到多種鍵合技術(shù)。SK海力士已經(jīng)在審查用于鍵合的新材料，并研究各種技術(shù)，這些技術(shù)將允許通過拋光、蝕刻、沉積和布線等方法連接不同的晶圓。整個過程需要幾個步驟，如Cell結(jié)構(gòu)設(shè)計，重點是每層Cell的排列和堆疊。然后通過清洗和沉積SiO2和Si3N4薄膜層來制備硅片。然而，當(dāng)通過大量重復(fù)逐一堆疊層時，該過程需要細(xì)致地執(zhí)行。

發(fā)表于：8/5/2024

傳臺積電將收購群創(chuàng)5.5代LCD面板廠

8月2日消息，近期市場傳出消息稱，臺系顯示面板大廠群創(chuàng)去年關(guān)閉的5.5代LCD面板廠——臺南四廠即將被臺積電收購，目的是擴(kuò)充CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能。

發(fā)表于：8/5/2024

是德科技推出System Designer for PCIe®和Chiplet PHY Designer

　　是德科技（NYSE：KEYS）宣布推出System Designer for PCIe®，這是其先進(jìn)設(shè)計系統(tǒng) （ADS）軟件套件中的一款新產(chǎn)品，支持基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的仿真工作流程，可用于仿真高速、高頻的數(shù)字設(shè)計。System Designer for PCIe 是一種智能的設(shè)計環(huán)境，用于對最新的PCIe Gen5 和 Gen6 系統(tǒng)進(jìn)行建模和仿真。是德科技還在改進(jìn)其電子設(shè)計自動化平臺，通過為現(xiàn)有的 Chiplet PHY Designer 工具增加新功能，評估Chiplet中芯片到芯片的鏈路裕度性能，并對電壓傳遞函數(shù) （VTF）是否符合相關(guān)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測量。

發(fā)表于：8/2/2024

瑞薩電子完成對澳大利亞設(shè)計工具廠商Altium的收購

8月1日，日本瑞薩電子宣布與全球電子設(shè)計系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)者Altium Limited（簡稱“Altium”）宣布，瑞薩電子成功完成了對Altium的收購。瑞薩電子在2024年2月15日就宣布了以91億澳元（約59億美元）收購 Altium 的最終協(xié)議

發(fā)表于：8/2/2024

泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0

為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。

發(fā)表于：8/2/2024

Alphawave發(fā)布業(yè)界首顆24Gbps 3nm UCIe半導(dǎo)體芯粒

8 月 1 日消息，Alphawave Semi 公司最新研發(fā)出業(yè)界首款 3nm UCIe 芯粒（chiplet），為采用臺積電 CoWoS 封裝技術(shù)的系統(tǒng)級封裝（system-in-packages，SiP）實現(xiàn) die-to-die 連接。

發(fā)表于：8/2/2024

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