EDA與制造相關文章 臺積電2025年資本支出有望達320億美元至360億美元 7月1日消息，據臺媒《經濟日報》報道稱，近期業內傳聞，臺積電因持續加碼2nm等尖端制程研發并擴大產能，2025年的資本支出有望同比增長12.5%至14.3%至320億美元至360億美元，達到歷年次高。 傳聞指出，臺積電2nm客戶群需求超乎預期的強勁，相關擴充產能計劃也傳將導入南科廠區，以制程升級挪出空間。除了蘋果先前率先包下臺積電2nm首批產能，其他客戶也因AI蓬勃發展而積極規劃采用。 對此，臺積電2nm產能建置估計將進一步擴大，竹科寶山可蓋四期、高雄二期，此外還有南科廠區相關規劃若成真，估將有助于臺積電2nm家族沖刺達至少八期八個廠的產能。 發表于：7/2/2024 消息稱臺積電今明兩年將接收超60臺EUV光刻機 消息稱臺積電今明兩年將接收超 60 臺 EUV 光刻機，相關投資超四千億新臺幣 發表于：7/1/2024 SK海力士公布近750億美元投資計劃 SK海力士公布近750億美元投資計劃，80%將用于發展HBM 發表于：7/1/2024 東京電子豪擲1.5萬億日元目標全球第一半導體設備制造商 7月1日消息，據媒體報道，日本東京電子（TEL）近日宣布將在2025至2029財年期間投資1.5萬億日元（約合679.83億元人民幣），并計劃招募一萬名新員工。 這一投資額是上個五年周期的1.8倍，目標就是成為全球最大的半導體設備制造商。 東京電子目前是世界第四大半導體設備制造商，僅次于荷蘭的阿斯麥（ASML）、美國的應用材料公司和泛林集團。 發表于：7/1/2024 索尼將對其可寫入光盤制造工廠裁員250人 索尼將對其可寫入光盤制造工廠裁員250人 發表于：7/1/2024 美光已在廣島工廠利用EUV試產1γ DRAM 美光已在廣島工廠利用EUV試產1γ DRAM，計劃2025年大規模量產 發表于：6/28/2024 鎧俠目標2027年3D NAND閃存實現1000層堆疊 鎧俠雄心壯志，目標 2027 年 3D NAND 閃存實現 1000 層堆疊 發表于：6/28/2024 ASMPT與美光聯合開發下一代HBM4鍵合設備 ASMPT與美光聯合開發下一代HBM4鍵合設備 發表于：6/28/2024 英飛凌為客戶提供產品碳足跡數據，引領低碳化轉型之路 【2024年6月27日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將率先為客戶提供完整的產品碳足跡（PCF）數據，在半導體行業發揮先鋒作用。 發表于：6/27/2024 韓國即將提供26萬億韓元半導體產業扶持資金 6月27日消息，根據韓國企劃財政部26日發出的聲明，韓國政府將于今年7月將開始提供規模高達26萬億韓元（約合人民幣1357.2億元）的半導體產業扶持資金，將幫助韓國半導體產業成長，并擴大建設半導體園區及各種基礎建設、研發人才培養的投資規模。 從7月起，符合資格企業能以市場上最低的利率，從規模17萬億韓元的貸款計劃中借款。韓國政府也將協助設置兩檔總額達1.1萬億韓元的資金，其中規模較小的一檔將在2025年前籌得3,000億韓元資金，而且從下月開始投資韓國本土的芯片制造設備與材料業者。 發表于：6/27/2024 英特爾計劃最快2026年量產玻璃基板 英特爾計劃最快2026年量產玻璃基板 發表于：6/27/2024 業內人士稱目前CoWoS供貨缺口相當嚴重 業內人士稱目前CoWoS供貨缺口相當嚴重，需求成長速度超預期 發表于：6/27/2024 紫晶存儲因欺詐發行退市被追償10.86億元 紫晶存儲因欺詐發行退市被追償10.86億元 發表于：6/27/2024 曾宣布投資400億建晶圓廠的梧升半導體破產清算 曾宣布投資400億建晶圓廠，梧升半導體破產清算！ 發表于：6/27/2024 Entegris獲得美國芯片法案7500萬美元補助 Entegris獲得美國芯片法案7500萬美元補助 發表于：6/27/2024 ?…86878889909192939495…?
