基于Ga2O3的場效應器件研究進展
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大小：660 K
標簽： Ga2O3 寬禁帶半導體 場效應晶體管
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文檔介紹：氧化鎵(Ga2O3)作為第三代寬禁帶半導體材料，由于其超寬帶隙、高擊穿場強以及高巴利加優值等優點，廣泛應用于大功率器件等領域，已成為近幾年來國內外科研人員研究的熱點。主要介紹了Ga2O3材料的特性，總結了基于Ga2O3的場效應晶體管（FET）的研究進展，對Ga2O3功率器件的發展進行了思考歸納。
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