| 基于Ga2O3的場效應(yīng)器件研究進展 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：660 K | |
| 標簽： Ga2O3 寬禁帶半導(dǎo)體 場效應(yīng)晶體管 | |
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| 文檔介紹：氧化鎵(Ga2O3)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其超寬帶隙、高擊穿場強以及高巴利加優(yōu)值等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于大功率器件等領(lǐng)域，已成為近幾年來國內(nèi)外科研人員研究的熱點。主要介紹了Ga2O3材料的特性，總結(jié)了基于Ga2O3的場效應(yīng)晶體管（FET）的研究進展，對Ga2O3功率器件的發(fā)展進行了思考歸納。 | |
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