| 基于全物理模型的模塊級(jí)SRAM的SEU仿真方法 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：559 K | |
| 標(biāo)簽： 存儲(chǔ)器 單粒子翻轉(zhuǎn) 抗輻照 | |
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| 文檔介紹：隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和工藝尺寸的降低，單元器件的尺寸逐漸減小，使得單粒子電荷共享和單粒子翻轉(zhuǎn)等效應(yīng)日益嚴(yán)重，增加了抗輻射加固模塊級(jí)SRAM設(shè)計(jì)難度，因此需要一套更為完備的仿真方法對(duì)模塊級(jí)SRAM的單粒子效應(yīng)敏感性進(jìn)行預(yù)估，為電路加固設(shè)計(jì)提供依據(jù)和建議。基于模塊級(jí)SRAM的單元結(jié)構(gòu)和電路版圖，利用Cogenda軟件構(gòu)建了模塊級(jí)SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)仿真方法，對(duì)其敏感性進(jìn)行分析，獲得其單粒子翻轉(zhuǎn)LET閾值，并與重離子實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，仿真誤差為13.3%。 | |
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