| InGaAs/GaAs多量子阱近紅外光探測結(jié)構(gòu)設(shè)計與表征 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：854 K | |
| 標(biāo)簽： InGaAs/GaAs 多量子阱 紅外 | |
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| 文檔介紹：介紹了用于近紅外光探測的InGaAs三元化合物材料體系，并通過數(shù)學(xué)軟件編寫求解出InGaAs/GaAs單量子阱有限深勢阱的波函數(shù)方程。根據(jù)計算結(jié)果，設(shè)計出InGaAs/GaAs多量子阱結(jié)構(gòu)，之后采用分子束外延技術(shù)完成了高質(zhì)量外延片結(jié)構(gòu)的研制，通過雙晶X射線衍射等分析手段，推算出多量子阱結(jié)構(gòu)中In的組分，勢壘與勢阱的厚度等參數(shù)與理論設(shè)計一致，具有很好的近紅外探測器研制價值。 | |
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