| 高性能RISC-V處理器抗輻照加固設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：1796 K | |
| 標簽： RISC-V 抗輻照加固設計 三模冗余 | |
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| 文檔介紹：隨著太空技術的蓬勃發(fā)展，芯片在輻照環(huán)境下的可靠性問題日益凸顯?；赗ISC-V指令集架構的高性能處理器C501，采用三模冗余方法和糾錯檢錯技術分別對電路層和系統(tǒng)層進行抗輻照加固，同時采取訪存請求強制不命中的策略來糾正校驗錯誤的數(shù)據(jù)塊，提高緩存系統(tǒng)的糾錯能力。仿真實驗結果表明，加固后的處理器可以通過糾正電路修復輻照引起的緩存數(shù)據(jù)錯誤，同時其最高工作頻率降低8.8%，面積增加約為64.9%，性能基本保持不變。 | |
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