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三星將展示42.5Gbps超高速24GB GDDR7顯存
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三星電子官宣2025年度重大組織與高管結構調整
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2024Q3全球DRAM市場營收260.2億美元
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TrendForce預計2025年DRAM價格將下跌
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ASML在2024 年投資者日會議上就市場機遇提供最新看法
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TrendForce研報預計2025年DRAM 價格將下跌
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DDR4內存正逐漸被放棄
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鎧俠宣布斥資16.75億元研發下一代內存
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TrendForce預測2025年DRAM產量同比增長25%
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
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三星半導體業務三季度獲利環比大跌40%
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三星前員工涉嫌向韓國泄露國產內存秘密被中國警方逮捕
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消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出
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消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通過英偉達認證
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TrendForce預測2024年第四季度DRAM價格漲幅放緩
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摩根士丹利報告顯示DRAM市場寒冬將至
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兩名前三星員工涉嫌泄露價值32億美元商業機密被捕
發表于：9/12/2024 8:50:18 AM
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英飛凌支付7.5億歐元與奇夢達和解
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2024年第二季DRAM產業營收環比增長24.8%
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消息稱SK海力士啟動M16擴產
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消息稱三星電子確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資
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機構預計2024年DRAM收入將激增至980億美元
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傳稱三星將轉移30%產能生產HBM
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DRAM和NAND現貨價格下跌 短期內難以回升
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消息稱美光正在全球擴張HBM內存產能
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消息稱三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成
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南亞科技首款1Cnm制程DRAM內存產品明年初試產
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消息稱SK海力士將在1c DRAM生產中采用新型光刻膠
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SK海力士HBM3E內存良率已接近80%
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