三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5－6400內(nèi)存芯片，基于10nm級（10～20nm）工藝。

據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容量8Gb（1GB），8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。

其它基本規(guī)格還有，內(nèi)存速度（針腳帶寬）最高6400Mbps，是LPDDR4X 4266Mbps的1．5倍。三星稱，每秒可以傳送51．2GB數(shù)據(jù)（比如高端手機(jī)常見的64bit bus），相當(dāng)于14部1080P電影（每部3．7GB）。要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力。

與此同時，功耗比LPDDR4X降低高達(dá)30％，主要是得益于動態(tài)調(diào)節(jié)電壓、避免無效消耗、深度睡眠等技術(shù)加入。

三星的8Gb LPDDR5規(guī)格彈性較高，1．1V工作電壓下可達(dá)6400Mbps，1．05V下可達(dá)5500Mbps，供手機(jī)、車載平臺自行選擇。

資料顯示，三星在2014年首先成功量產(chǎn)8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片，之后，就開始推進(jìn)向LPDDR5新標(biāo)準(zhǔn)的過渡。

新的8Gb LPDDR5內(nèi)存芯片是三星高端DRAM產(chǎn)品線的一部分，后者已經(jīng)包括10nm級的16Gb GDDR6顯存芯片（2017年12月量產(chǎn)）和16Gb DDR5內(nèi)存芯片（今年2月份開發(fā)完成）。

LPDDR5內(nèi)存芯片將用于移動設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，三星稱，5G和AI將是其主力服務(wù)的場景。

三星將在位于韓國平澤市的工廠量產(chǎn)LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。