| FinFET器件結(jié)構(gòu)發(fā)展綜述 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：746 K | |
| 標(biāo)簽： 場效應(yīng)晶體管 FinFET 器件結(jié)構(gòu) | |
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| 文檔介紹：隨著集成電路技術(shù)日新月異的發(fā)展，器件尺寸不斷縮小，當(dāng)場效應(yīng)晶體管溝道縮短至22 nm以后，傳統(tǒng)平面場效應(yīng)晶體管不再滿足發(fā)展的需求。FinFET是一種新型的三維器件，由于良好的性能目前被廣泛研究應(yīng)用。主要介紹了FinFET器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)以及基礎(chǔ)工藝流程，以及在基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上所發(fā)展起來的一些改良后的FinFET器件結(jié)構(gòu)。最后結(jié)合實際對未來FinFET器件結(jié)構(gòu)的發(fā)展寄予展望。 | |
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