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消息稱三星SK 海力士已啟動芯片浸沒式液冷兼容測試
發表于：6/28/2024 8:48:00 AM
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SK海力士官宣業界最高性能固態硬盤PCB01
發表于：6/28/2024 8:47:00 AM
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SK海力士5層堆疊3D DRAM良品率已達56.1%
發表于：6/26/2024 8:11:20 AM
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美國對中國半導體制裁下韓國設備最杯具
發表于：6/25/2024 8:30:43 AM
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SK海力士否認向創意電子提供AI芯片訂單
發表于：6/25/2024 8:30:25 AM
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消息稱臺積電協同旗下創意電子拿下SK海力士大單
發表于：6/24/2024 11:35:08 AM
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消息稱SK 海力士五層堆疊3D DRAM內存良率已達56.1%
發表于：6/24/2024 10:35:10 AM
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三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術
發表于：6/24/2024 8:35:14 AM
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SK海力士展示HBM3E等AI內存解決方案
發表于：6/20/2024 8:35:45 AM
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HBM訂單2025年已預訂一空
發表于：6/19/2024 8:30:35 AM
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淺析HBM五大關鍵門檻
發表于：6/18/2024 8:38:25 AM
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SK 海力士將提升1b nm DRAM 產能以滿足HBM3E內存需求
發表于：6/17/2024 8:35:28 AM
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SK海力士將于2025年一季度量產GDDR7顯存
發表于：6/12/2024 8:59:34 AM
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SK集團會長拜訪臺積電 強化HBM芯片制造合作
發表于：6/11/2024 8:50:07 AM
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美光HBM內存能效優異迅速成為韓廠威脅
發表于：6/3/2024 11:24:24 AM
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NAND Flash開始邁向300層
發表于：5/29/2024 8:36:15 AM
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SK海力士HBM4芯片2026年將帶來6-15億美元以上營收
發表于：5/29/2024 8:36:11 AM
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韓國政府斥資26萬億韓元扶持芯片產業
發表于：5/24/2024 3:11:30 PM
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SK海力士HBM3E內存良率已接近80%
發表于：5/23/2024 8:38:29 AM
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機構：2024年底前HBM將占先進制程比例為35%
發表于：5/21/2024 8:50:16 AM
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消息稱SK海力士將為特斯拉代工生產電源管理芯片
發表于：5/16/2024 8:35:25 AM
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三星SK海力士將超過20%的DRAM產線轉換為HBM
發表于：5/15/2024 8:39:29 AM
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SK海力士HBM4E內存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片
發表于：5/15/2024 8:39:22 AM
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HBM4內存競爭已達白熱化
發表于：5/15/2024 8:39:14 AM
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SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E內存
發表于：5/14/2024 8:39:24 AM
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消息稱SK海力士三星電子陸續停產DDR3內存
發表于：5/13/2024 10:55:06 AM
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SK海力士系統IC將出售無錫晶圓廠49.9%股權
發表于：5/10/2024 9:00:28 AM
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SK海力士宣布開發新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
發表于：5/9/2024 8:28:41 AM
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SK海力士正在測試低溫蝕刻設備
發表于：5/8/2024 11:16:00 AM
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消息稱SK海力士擬新建DRAM工廠
發表于：5/6/2024 1:47:19 PM
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