工業(yè)自動化最新文章 IXD0579M高壓側(cè)低壓側(cè)柵極驅(qū)動器提供緊湊型即插即用解決方案 伊利諾伊州羅斯蒙特，2025年6月3日—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。 發(fā)表于：6/4/2025 Qorvo®推出高輸出功率倍增器QPA3311和QPA3316 近日，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）宣布推出兩款全新混合功率倍增放大器，進(jìn)一步加強其面向?qū)拵в芯€網(wǎng)絡(luò)的DOCSIS® 4.0產(chǎn)品陣容。這兩款新產(chǎn)品專門針對最高至1.8 GHz的下行傳輸進(jìn)行了優(yōu)化，可推動行業(yè)向統(tǒng)一DOCSIS標(biāo)準(zhǔn)和智能放大器架構(gòu)的轉(zhuǎn)型，從而為混合光纖同軸（HFC）系統(tǒng)提供更強的可視性、更高的效率以及更好的適應(yīng)性。 發(fā)表于：6/4/2025 WSTS預(yù)測2025年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將超7000億美元 6月3日消息，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計WSTS北京時間今日下午發(fā)布了其2025年春季半導(dǎo)體市場預(yù)測。該組織認(rèn)為2025年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到7009億美元（注：現(xiàn)匯率約合5.05萬億元人民幣），同比增長11.2%。 發(fā)表于：6/4/2025 英特爾晶圓代工直指三星后院 6月4日消息，英特爾通過官網(wǎng)宣布，英特爾代工部門將于 6 月 24 日在韓國首爾舉行 Direct Connect Asia 活動，這也是英特爾代工 Direct Connect 大會首次來到美國境外。英特爾代工部門表示，此次活動將提供一個與其高管和技術(shù)專家深入交流的獨家機會。 發(fā)表于：6/4/2025 臺積電日本JASM第二晶圓廠項目動工因交通不暢延遲 6 月 3 日消息，臺積電董事長兼總裁魏哲家在今日年度股東常會后接受采訪時確認(rèn)，臺積電在日控股子公司 JASM 的第二晶圓廠項目動工出現(xiàn)略微延遲。 發(fā)表于：6/4/2025 AMD慶祝賽靈思成立40周年 40 年前，賽靈思（Xilinx）推出了一種革命性的設(shè)備，讓工程師可以在辦公桌上使用邏輯編程。 賽靈思開發(fā)的現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）使工程師能夠?qū)⒕哂凶远x邏輯的比特流下載到臺式編程器中立即運行，而無需等待數(shù)周才能從晶圓廠返回芯片。如果出現(xiàn)錯誤或問題，設(shè)備可以在那里重新編程。 發(fā)表于：6/4/2025 臺積電2nm制程投產(chǎn)在即 每片晶圓代工價格飆升至3萬美元 6月3日消息，據(jù)臺灣地區(qū)工商時報報道，臺積電即將迎來 2 納米制程的投產(chǎn)，這一技術(shù)突破標(biāo)志著芯片制造領(lǐng)域進(jìn)入了一個新的時代。據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺積電的 2 納米制程從研發(fā)到量產(chǎn)的總成本高達(dá) 7.25 億美元，其代工價格也水漲船高，每片晶圓的代工價格飆升至 3 萬美元 發(fā)表于：6/3/2025 臺積電CEO否認(rèn)近期擬赴阿聯(lián)酋設(shè)廠傳聞 6 月 3 日消息，在今日舉行的臺積電年度股東常會上，臺積電董事長兼總裁魏哲家就近期有關(guān)臺積電擬赴阿聯(lián)酋建設(shè)大型晶圓廠項目的媒體傳聞作出簡短回應(yīng)：“不會”。 發(fā)表于：6/3/2025 三星挖來臺積電前高管以開拓晶圓代工業(yè)務(wù) 6月3日消息，據(jù)韓媒Fnnews報道，三星電子為了強化晶圓代工業(yè)務(wù)的競爭力已經(jīng)聘請了臺積電前高管Margaret Han，擔(dān)任北美晶圓代工業(yè)務(wù)的負(fù)責(zé)人。過去Margaret Han曾在臺積電任職長達(dá)21年，隨后轉(zhuǎn)戰(zhàn)英特爾及恩智浦等半導(dǎo)體大廠。 發(fā)表于：6/3/2025 Intel力拼2027年打造HBM內(nèi)存替代方案 6月2日消息，據(jù)媒體報道，Intel將與軟銀合作，共同開發(fā)一種可取代HBM內(nèi)存的堆疊式DRAM解決方案。 雙方成立了一家名為“Saimemory”的新公司，將基于英特爾的技術(shù)和東京大學(xué)等日本學(xué)術(shù)界的專利，共同打造原型產(chǎn)品。 該合作的目標(biāo)是在2027年前完成原型設(shè)計，并評估量產(chǎn)可行性，力爭在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。 發(fā)表于：6/3/2025 中國科學(xué)院物理研究所發(fā)現(xiàn)超帶隙透明導(dǎo)體 6 月 2 日消息，據(jù)中國科學(xué)院物理研究所官網(wǎng)，透明導(dǎo)體兼具導(dǎo)電性與透明性，廣泛應(yīng)用于觸控屏、太陽能電池、發(fā)光二極管、電致變色和透明顯示等光電器件，成為現(xiàn)代信息與能源技術(shù)中不可或缺的核心材料。 發(fā)表于：6/3/2025 消息稱瑞薩電子放棄生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體 6 月 3 日消息，《日經(jīng)亞洲》日本當(dāng)?shù)貢r間 5 月 29 日報道稱，瑞薩電子已放棄制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體，原定于 2025 年初在群馬縣高崎市工廠啟動生產(chǎn)的計劃破滅，相關(guān)生產(chǎn)團(tuán)隊已于今年早些時候解散。 發(fā)表于：6/3/2025 銀河通用發(fā)布全球首個產(chǎn)品級端到端具身FSD大模型 6月1日消息，銀河通用發(fā)布全球首個產(chǎn)品級端到端具身 FSD 大模型 —— TrackVLA，一款具備純視覺環(huán)境感知、語言指令驅(qū)動、可自主推理、具備零樣本（Zero-Shot）泛化能力的具身大模型。 發(fā)表于：6/3/2025 我國科學(xué)家利用溫加工方法制備高性能半導(dǎo)體薄膜 6 月 2 日消息，據(jù)中國科學(xué)院官方微博轉(zhuǎn)中國科學(xué)報報道，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所史迅研究員、陳立東院士團(tuán)隊，聯(lián)合上海交通大學(xué)魏天然教授團(tuán)隊，發(fā)現(xiàn)一類特殊的脆性半導(dǎo)體在 500K 下具有良好的塑性變形和加工能力，并建立了與溫度相關(guān)的塑性物理模型，在半導(dǎo)體中實現(xiàn)了類似金屬的塑性加工工藝，為豐富無機半導(dǎo)體加工制造技術(shù)、拓展應(yīng)用場景提供了重要支撐。相關(guān)研究成果已發(fā)表于《自然 - 材料》。 發(fā)表于：6/3/2025 Synopsys CEO發(fā)內(nèi)部信稱美國新規(guī)將影響中國所有客戶 繼當(dāng)?shù)貢r間2025年5月29日，新思科技(Synopsys)通過官方發(fā)布公告，宣布已經(jīng)收到了美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)的對華出口管制通知函之后，新思科技CEO Sassine Ghazi也向員工發(fā)布了內(nèi)部信進(jìn)行了進(jìn)一步的解釋。 發(fā)表于：6/3/2025 ?…6789101112131415…?
