頭條 英偉達官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構！ 早在2024年10月，英偉達在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構。由于 MCU 內核是通用的，因此可以在英偉達的產品中廣泛使用。根據英偉達當時的預計，2024年英偉達將交付10億個內置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內核在英偉達硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會上，Frans Sijstermanns也指出，英偉達是RVI和RISE的董事會成員和技術委員會代表，也是相關規范的貢獻者。英偉達產品中的微控制器都是基于RISC-V架構，具有可配置、可擴展和安全保護功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。 最新資訊 國際空間站大規模升級鎧俠SSD 近期，國際空間站與惠與(HPE)、鎧俠(前東芝存儲)合作，大規模升級了SSD存儲系統，整體容量已經接近135TB。 2021年，國際空間站迎來了惠與的Spaceborne Computer-2 (SBC-2)計算機系統，這也是國際空間站的第一個商業邊緣計算與AI系統，能夠直接在空間站上處理數據，而不必發回地球分析再返回空間站，從而減少對地球任務控制的依賴。 SBC-2目前已用于健康、圖像處理、神經損傷恢復、3D打印、5G、AI等多種任務。 發表于：2/6/2024 英偉達獲印數據中心5億美元天價大單 英偉達要來一筆大單了？ 一出手就是16000塊GPU，值5個億，單位還是美元。 這家下了大單的公司是來自印度的Yotta，這是一家數據中心和服務器公司。 據說到2025年，Yotta將會擁有總計32000塊的英偉達H100和GH200 GPU。 發表于：2/6/2024 江蘇科技大學研制出55~130微米的晶硅太陽能電池 2 月 5 日消息，江蘇科技大學、隆基綠能科技股份有限公司、澳大利亞科廷大學三方合作，在國際上首次制造出高柔韌性、高功率重量比的晶硅異質結太陽能電池。研究人員表示，他們研發的晶硅電池比 A4 紙還薄，可以彎曲成一個卷，而且比薄膜電池更薄，比傳統晶硅電池更高效。 相關研究成果已于 1 月 31 日以 "Flexible Silicon Solar Cells with High Power-to-Weight Ratios" 為題發表在國際頂級期刊《Nature》上（ DOI: 10.1038 / s41586-023-06948-y）。 發表于：2/6/2024 圖森未來發送24臺GPU被美國緊急攔截 2月6日消息，據國外媒體報道稱，中國自動駕駛卡車公司“圖森未來”向澳大利亞（不屬于該AI芯片“禁止出口”的國家名單）發送24臺A100 GPU被美國攔截引起了很多的關注。 按照美國的說法，擔憂這些高性能GPU可能會被轉售到中國，進一步推進中國在其他重要領域的自主技術發展。 報道中提到，雖然“圖森未來”對此向相關方進行了解釋和說明，但依然沒有獲得放行。 事實上，自2022年10月，美國就開始限制了英偉達A100/H100等高性能計算芯片的對華出口。 發表于：2/6/2024 中國加大研發解決汽車芯片“軟肋” 據《日本經濟新聞》5日報道，目前中國汽車芯片的國產率僅一成左右，因此中國計劃在10年內加大企業研發力度，形成國產替代進口的態勢，構建不受美國出口管制影響的國內供應鏈。 報道稱，在中國從世界銷量最大的“汽車大國”成為世界領先的“汽車強國”的背景下，芯片成為了中國汽車行業發展的“軟肋”。 發表于：2/6/2024 意法半導體超低功耗STM32MCU上新，讓便攜產品輕松擁有驚艷圖效 意法半導體推出了集成新的專用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU)，讓成本敏感的小型產品也能為用戶帶來更好的圖形體驗。超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動態存儲器(SRAM)，可以為圖形顯示屏提供多個幀緩存區，以節省外部存儲芯片。新產品還集成了意法半導體的NeoChromVG圖形處理器(GPU)，能夠實現的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。 發表于：2/5/2024 德國默克稱DSA自組裝技術十年內商用 德國默克公司高級副總裁 Anand Nambier 近日在新聞發布會上稱，未來十年 DSA 自組裝技術將實現商用化，可減少昂貴的 EUV 圖案化次數，成為現有光刻技術的重要補充。 DSA 全稱為 Directed self-assembly，其利用嵌段共聚物的表面特征實現周期性圖案的自動構造，在此基礎上加以誘導，最終形成方向可控的所需圖案。一般認為，DSA 不適合作為一項獨立的圖案化技術使用，而是與其他圖案化技術（如傳統光刻）結合來生產高精度半導體。 發表于：2/5/2024 三星將發布超高速32Gb DDR5內存芯片 據報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態電路峰會上推出多款尖端內存產品。 消息稱三星將發布超高速 32Gb DDR5 內存芯片，容量翻倍且更省電 發表于：2/5/2024 長鑫存儲準備自己造HBM內存 據媒體報道，中國領先的存儲企業長鑫存儲 ( CXMT ) 已經開始準備必要設備，計劃制造自己的 HBM 高帶寬內存，以滿足迫切的 AI、HPC 應用需求。 發表于：2/5/2024 SK海力士宣布2026年量產HBM4 據媒體報道，SK海力士表示，生成式AI市場預計將以每年35%的速度增長，而SK海力士有望在2026年大規模生產下一代HBM4。 據了解，HBM類產品前后經過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發，其中HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產品。 發表于：2/5/2024 ?…207208209210211212213214215216…?
